Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 7, страницы 903–907
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47865.9045 (Mi phts5453) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Изопараметрические гетероструктуры AlInGaAsP/InP и их свойства

Д. Л. Алфимова, Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, Э. М. Данилина

Федеральный исследовательский центр Южный научный центр Российской академии наук, Ростов-на-Дону, Россия
PDF полного текста (379 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47865.9045
Аннотация: Обсуждается влияние условий выращивания на структурное совершенство тонкопленочных гетероструктур AlInGaAsP/InP. Определены основные параметры, определяющие структурное совершенство и качество поверхности тонких эпитаксиальных пленок AlInGaAsP, выращенных на подложках фосфида индия из жидкой фазы в поле температурного градиента.
Ключевые слова: гетероструктуры, коэффициент термического расширения, кривая дифракционного отражения, упругие напряжения, дислокации.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 01201354240
Российский фонд фундаментальных исследований 17-08-01206 А
Работа выполнена в рамках государственного задания Южного научного центра Российской академии наук на 2019 год (№ государственной регистрации проекта 01201354240), а также при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований в рамках научного проекта № 17-08-01206 А.
Поступила в редакцию: 17.12.2018
Исправленный вариант: 25.01.2019
Принята в печать: 30.01.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 7, Pages 887–891
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619070029
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. Л. Алфимова, Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, Э. М. Данилина, “Изопараметрические гетероструктуры AlInGaAsP/InP и их свойства”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 903–907; Semiconductors, 53:7 (2019), 887–891
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AlfLunLun19}
\by Д.~Л.~Алфимова, Л.~С.~Лунин, М.~Л.~Лунина, А.~С.~Пащенко, Э.~М.~Данилина
\paper Изопараметрические гетероструктуры AlInGaAsP/InP и их свойства
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 903--907
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5453}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47865.9045}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133313}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 887--891
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619070029}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5453
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i7/p903
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024