Исследование структурных и люминесцентных свойств гетероструктур InAs/GaAs с легированными Bi потенциальными барьерами

Исследовано влияние Bi в барьерных слоях GaAs на структурные и оптические свойства гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками. Методами атомно-силовой микроскопии и рамановской спектроскопии установлено, что введение Bi до 5 ат% в GaAs приводит к снижению плотности квантовых точек InAs с 1.58 $\cdot$ 10$^{10}$ до 0.93 $\cdot$ 10$^{10}$ см$^{-2}$. Эффект обусловлен уменьшением величины рассогласования параметра кристаллических решеток в гетероинтерфейсе InAs/GaAsBi. При этом отмечается увеличение высоты квантовых точек InAs, вероятно, вызванное возрастанием поверхностной диффузии In в процессе роста на поверхности GaAsBi. Анализ люминесцентных свойств показал, что легирование висмутом потенциальных барьеров GaAs сопровождается красным смещением пика излучения квантовых точек InAs и уменьшает его ширину.