Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2018, том 44, выпуск 24, страницы 75–80
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.24.47033.17537 (Mi pjtf5599) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Наногетероструктуры AlInGaPAs/GaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей, полученные методом импульсного лазерного напыления

Л. С. Лунинab, М. Л. Лунинаa, А. Е. Казаковаb, А. С. Пащенкоa, Д. Л. Алфимоваa, Д. А. Арустамянb

a Южный научный центр РАН, г. Ростов-на-Дону
b Южно-Российский государственный технический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
PDF полного текста (93 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.24.47033.17537
Аннотация: Методом импульсного лазерного напыления получены наногетероструктуры AlInGaPAs/GaAs/Si для каскадных фотоэлектрических преобразователей, работающих в интервале длин волн 300–1300 nm. Исследованы структурные и люминесцентные свойства нанопленок AlInGaPAs на GaAs и GaAs на Si. Изучены спектральные характеристики фотоэлементов трехкаскадного фотоэлектрического преобразователя AlInGaPAs/GaAs/Si.
Финансовая поддержка Номер гранта
16.4757.2017/8.9
Российский фонд фундаментальных исследований 17-08-01206 А
Работа выполнена в рамках государственного задания (грант № 16.4757.2017/8.9), а также при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 17-08-01206 А.
Поступила в редакцию: 24.09.2018
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2018, Volume 44, Issue 12, Pages 1154–1156
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785018120519
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. Е. Казакова, А. С. Пащенко, Д. Л. Алфимова, Д. А. Арустамян, “Наногетероструктуры AlInGaPAs/GaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей, полученные методом импульсного лазерного напыления”, Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 75–80; Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1154–1156
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LunLunKaz18}
\by Л.~С.~Лунин, М.~Л.~Лунина, А.~Е.~Казакова, А.~С.~Пащенко, Д.~Л.~Алфимова, Д.~А.~Арустамян
\paper Наногетероструктуры AlInGaPAs/GaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей, полученные методом импульсного лазерного напыления
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2018
\vol 44
\issue 24
\pages 75--80
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5599}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.24.47033.17537}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37044695}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2018
\vol 44
\issue 12
\pages 1154--1156
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785018120519}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5599
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i24/p75
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:34
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024