Особенности легирования сурьмой в процессе ионно-лучевой кристаллизации кремния

Предложен способ легирования в процессе роста тонких пленок ионно-лучевой кристаллизацией. На примере Si и Sb показана возможность управляемого легирования полупроводников в процессе ионно-лучевой кристаллизации. Получена калибровочная температурная зависимость скорости потока паров сурьмы в диапазоне 150–400$^\circ$C. Установлено, что повышение температуры испарителя больше 200$^\circ$C приводит к накоплению примеси в направлении роста слоя. Выращены слои кремния, легированные сурьмой до концентрации 10$^{18}$ см$^{-3}$. Показано, что эффективность активации сурьмы в кремнии с увеличением температуры испарителя нелинейно уменьшается с $\sim$10$^{0}$ до $\sim$10$^{-3}$.