Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 8, страницы 1110–1114
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.08.48003.9082 (Mi phts5437) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Влияние висмута на свойства упругонапряженных гетероструктур AlGaInAsP$\langle\mathrm{Bi}\rangle$/InP

М. Л. Лунинаa, Л. С. Лунинab, Д. Л. Алфимоваa, А. С. Пащенкоa, Э. М. Данилинаa, В. В. Нефедовb

a Федеральный исследовательский центр Южный научный центр Российской академии наук, Ростов-на-Дону, Россия
b Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
PDF полного текста (140 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.08.48003.9082
Аннотация: Обсуждаются результаты выращивания упругонапряженных тонких эпитаксиальных слоев AlGaInAsP$\langle\mathrm{Bi}\rangle$ на подложках фосфида индия из жидкой фазы в поле температурного градиента. Исследовано влияние висмута на структурное совершенство, люминесцентные свойства и внешний квантовый выход гетероструктур AlGaInAsP$\langle\mathrm{Bi}\rangle$/InP.
Ключевые слова: гетероструктуры, градиент температуры, толщина жидкой зоны, период решетки, коэффициент термического расширения, кривая дифракционного отражения, упругие напряжения, дислокации, внешний квантовый выход.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 01201354240
Российский фонд фундаментальных исследований 17-08-01206 А
Работа выполнена в рамках ГЗ ЮНЦ РАН на 2019 год (№ государственной регистрации проекта 01201354240), государственного контракта 16.4757.2017/(8.9) а также при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 17-08-01206 А.
Поступила в редакцию: 12.02.2019
Исправленный вариант: 07.03.2019
Принята в печать: 11.03.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 8, Pages 1088–1091
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619080141
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. Л. Лунина, Л. С. Лунин, Д. Л. Алфимова, А. С. Пащенко, Э. М. Данилина, В. В. Нефедов, “Влияние висмута на свойства упругонапряженных гетероструктур AlGaInAsP$\langle\mathrm{Bi}\rangle$/InP”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1110–1114; Semiconductors, 53:8 (2019), 1088–1091
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LunLunAlf19}
\by М.~Л.~Лунина, Л.~С.~Лунин, Д.~Л.~Алфимова, А.~С.~Пащенко, Э.~М.~Данилина, В.~В.~Нефедов
\paper Влияние висмута на свойства упругонапряженных гетероструктур AlGaInAsP$\langle\mathrm{Bi}\rangle$/InP
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 8
\pages 1110--1114
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5437}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.08.48003.9082}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129840}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 8
\pages 1088--1091
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619080141}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5437
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i8/p1110
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024