Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 6, страницы 7–9
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.06.47489.17635 (Mi pjtf5489) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Каскадные солнечные элементы на основе наногетероструктур GaP/Si/Ge

Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, Д. Л. Алфимова, Д. А. Арустамян, А. Е. Казакова

Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
PDF полного текста (103 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.06.47489.17635
Аннотация: Методом импульсного лазерного напыления получены наногетероструктуры GaP/Si/Ge. Проведено моделирование энергетической диаграммы каскадных солнечных элементов GaP/Si/Ge. Выращенные на подложках Si нанослои GaP и Ge исследованы методом рамановской спектроскопии и рентгеновской дифракции. Изучены спектральные зависимости внешнего квантового выхода фотоответа наногетероструктур на основе GaP/Si/Ge для каскадных солнечных элементов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 01201354240
Российский фонд фундаментальных исследований 17-08-01206 А
Работа выполнена в рамках реализации ГЗ ЮНЦ РАН на 2019 г., номер госрегистрации проекта 01201354240, а также при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 17-08-01206 А.
Поступила в редакцию: 11.12.2018
Исправленный вариант: 11.12.2018
Принята в печать: 13.12.2018
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 3, Pages 250–252
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019030313
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, Д. Л. Алфимова, Д. А. Арустамян, А. Е. Казакова, “Каскадные солнечные элементы на основе наногетероструктур GaP/Si/Ge”, Письма в ЖТФ, 45:6 (2019), 7–9; Tech. Phys. Lett., 45:3 (2019), 250–252
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LunLunPas19}
\by Л.~С.~Лунин, М.~Л.~Лунина, А.~С.~Пащенко, Д.~Л.~Алфимова, Д.~А.~Арустамян, А.~Е.~Казакова
\paper Каскадные солнечные элементы на основе наногетероструктур GaP/Si/Ge
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 6
\pages 7--9
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5489}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.06.47489.17635}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37481357}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 3
\pages 250--252
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785019030313}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5489
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i6/p7
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024