Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 24, страницы 21–24
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.24.48797.18006 (Mi pjtf5236) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Ионно-лучевое осаждение тонких пленок AlN на Al$_{2}$O$_{3}$

Л. С. Лунинab, О. В. Девицкийac, И. А. Сысоевc, А. С. Пащенкоab, И. В. Касьяновc, Д. А. Никулинc, В. А. Ирхаa

a Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
b Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
c Северо-Кавказский федеральный университет, Ставрополь, Россия
PDF полного текста (655 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.24.48797.18006
Аннотация: Методом ионно-лучевого осаждения на сапфировых подложках выращены тонкие пленки AlN. Методами сканирующей электронной микроскопии, комбинационного рассеяния и оптической спектроскопии выявлены зависимости влияния параметров ионно-лучевого осаждения (состав рабочей газовой смеси, энергия ионного пучка, температура подложки) на морфологию, структуру и оптические свойства тонких пленок AlN на сапфире.
Ключевые слова: ионно-лучевое осаждение, широкозонные полупроводники, нитрид алюминия, нитрид галлия, сапфир.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 01201354240
Публикация подготовлена в рамках государственных заданий Федерального исследовательского центра Южного научного центра РАН на 2019 г. (номера госрегистрации 01201354240 и АААА-А19-119040390081-2).
Поступила в редакцию: 31.07.2019
Исправленный вариант: 31.07.2019
Принята в печать: 17.09.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 12, Pages 1237–1240
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378501912023X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. С. Лунин, О. В. Девицкий, И. А. Сысоев, А. С. Пащенко, И. В. Касьянов, Д. А. Никулин, В. А. Ирха, “Ионно-лучевое осаждение тонких пленок AlN на Al$_{2}$O$_{3}$”, Письма в ЖТФ, 45:24 (2019), 21–24; Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1237–1240
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LunDevSys19}
\by Л.~С.~Лунин, О.~В.~Девицкий, И.~А.~Сысоев, А.~С.~Пащенко, И.~В.~Касьянов, Д.~А.~Никулин, В.~А.~Ирха
\paper Ионно-лучевое осаждение тонких пленок AlN на Al$_{2}$O$_{3}$
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 24
\pages 21--24
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5236}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.24.48797.18006}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41848513}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 12
\pages 1237--1240
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378501912023X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5236
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i24/p21
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:63
    PDF полного текста:44
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024