|
Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 9, страницы 1695–1700
(Mi ftt9845)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Полупроводники
Выращивание и свойства изопериодных твердых растворов GaInPSbAs на подложках арсенида индия
Д. Л. Алфимоваa, Л. С. Лунинa, М. Л. Лунинаa, А. С. Пащенкоa, С. Н. Чеботаревab a Южный научный центр РАН, г. Ростов-на-Дону
b Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М. И. Платова, Новочеркасск, Россия
Аннотация:
Обсуждаются результаты выращивания изопериодных твердых растворов GaInPSbAs на подложках InAs из жидкой фазы в поле температурного градиента. В рамках модели регулярных растворов проведен анализ гетерофазных равновесий в системе Ga–In–P–Sb–As. Исследованы кинетика роста, состав, структурное совершенство и люминесцентные свойства изопериодных гетероструктур Ga$_{z}$In$_{1-z}$P$_{x}$Sb$_{y}$As$_{1-x-y}$/InAs.
Поступила в редакцию: 16.02.2016
Образец цитирования:
Д. Л. Алфимова, Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, С. Н. Чеботарев, “Выращивание и свойства изопериодных твердых растворов GaInPSbAs на подложках арсенида индия”, Физика твердого тела, 58:9 (2016), 1695–1700; Phys. Solid State, 58:9 (2016), 1751–1757
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9845 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v58/i9/p1695
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 39 | PDF полного текста: | 13 |
|