|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
С. А. Блохин, А. В. Бабичев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. А. Блохин, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, Н. А. Малеев, В. В. Андрюшкин, В. Е. Бугров, А. Г. Гладышев, Н. В. Крыжановская, К. О. Воропаев, И. О. Жумаева, В. М. Устинов, А. Ю. Егоров, “Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм, реализованные в рамках технологии спекания пластин”, Квантовая электроника, 52:10 (2022), 878–884  [S. A. Blokhin, A. V. Babichev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, A. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, N. A. Maleev, V. V. Andryushkin, V. E. Bugrov, A. G. Gladyshev, N. V. Kryzhanovskaya, K. O. Voropaev, I. O. Zhumaeva, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, “High-speed vertically emitting lasers in the spectral range of 1550 nm, implemented in the framework of wafer sintering method”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 2 (2023), S140–S147] |
|
2021 |
| 2. |
А. М. Смирнов, А. В. Кремлева, Ш. Ш. Шарофидинов, В. Е. Бугров, А. Е. Романов, “Релаксация напряжений несоответствия в гетероструктурах $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$/$\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$ при образовании дислокаций несоответствия”, Физика твердого тела, 63:6 (2021), 788–795  ; A. M. Smirnov, A. V. Kremleva, Sh. Sh. Sharofidinov, V. E. Bugrov, A. E. Romanov, “Misfit stress relaxation in $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$/$\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$ heterostructures via formation of misfit dislocations”, Phys. Solid State, 63:6 (2021), 924–931 |
3
|
| 3. |
Е. В. Иванова, П. А. Дементьев, М. В. Заморянская, Д. А. Закгейм, Д. Ю. Панов, В. А. Спиридонов, А. В. Кремлева, М. А. Одноблюдов, Д. А. Бауман, А. Е. Романов, В. Е. Бугров, “Исследование ловушек носителей заряда в объемном оксиде галлия $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$”, Физика твердого тела, 63:4 (2021), 421–426 ; E. V. Ivanova, P. A. Dementev, M. V. Zamoryanskaya, D. A. Zakgeim, D. Yu. Panov, V. A. Spiridonov, A. V. Kremleva, M. A. Odnoblyudov, D. A. Bauman, A. E. Romanov, V. E. Bugrov, “Study of charge carrier traps in bulk crystal gallium oxide $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$”, Phys. Solid State, 63:4 (2021), 544–549 |
2
|
| 4. |
С. А. Блохин, А. В. Бабичев, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. А. Блохин, М. А. Бобров, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, А. М. Надточий, В. Н. Неведомский, В. В. Андрюшкин, С. С. Рочас, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, И. О. Жумаева, В. М. Устинов, А. Ю. Егоров, В. Е. Бугров, “Исследование характеристик сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 nm”, ЖТФ, 91:12 (2021), 2008–2017 |
| 5. |
Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, М. М. Кулагина, А. П. Васильев, С. А. Блохин, С. И. Трошков, А. В. Нащекин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, К. О. Воропаев, В. Е. Бугров, В. М. Устинов, “Грибовидная меза-структура для лавинных фотодиодов на гетероструктурах InAlAs/InGaAs”, Письма в ЖТФ, 47:21 (2021), 36–38 |
| 6. |
Д. А. Бауман, Л. А. Пьянкова, А. В. Кремлева, В. А. Спиридонов, Д. Ю. Панов, Д. А. Закгейм, А. С. Бахвалов, М. А. Одноблюдов, А. Е. Романов, В. Е. Бугров, “Элементное и структурное картирование объемных кристаллов (Al$_{x}$Ga$_{1-x}$)$_{2}$O$_{3}$, полученных методом Чохральского”, Письма в ЖТФ, 47:5 (2021), 19–22 ; D. A. Bauman, L. A. Pyankova, A. V. Kremleva, V. A. Spiridonov, D. Yu. Panov, D. A. Zakgeim, A. S. Bakhvalov, M. A. Odnoblyudov, A. E. Romanov, V. E. Bugrov, “Elemental and structural mapping of Czochralski-grown bulk (Al$_{x}$Ga$_{1-x}$)$_{2}$O$_{3}$, crystals”, Tech. Phys. Lett., 47:3 (2021), 218–221 |
1
|
|
2020 |
| 7. |
Д. А. Закгейм, Д. Ю. Панов, В. А. Спиридонов, А. В. Кремлева, А. М. Смирнов, Д. А. Бауман, А. Е. Романов, М. А. Одноблюдов, В. Е. Бугров, “Выращивание объемных кристаллов оксида галлия из расплава методом Чохральского в кислородсодержащей атмосфере”, Письма в ЖТФ, 46:22 (2020), 43–45 ; D. A. Zakgeim, D. Yu. Panov, V. A. Spiridonov, A. V. Kremleva, A. M. Smirnov, D. A. Bauman, A. E. Romanov, M. A. Odnoblyudov, V. E. Bugrov, “Volume gallium oxide crystals grown from melt by the Czochralski method in an oxygen-containing atmosphere”, Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1144–1146 |
9
|
| 8. |
С. С. Рочас, И. И. Новиков, А. Г. Гладышев, Е. С. Колодезный, А. В. Бабичев, В. В. Андрюшкин, В. Н. Неведомский, Д. В. Денисов, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, В. Е. Бугров, “Влияние параметров короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs на эффективность фотолюминесценции”, Письма в ЖТФ, 46:22 (2020), 27–30 ; S. S. Rochas, I. I. Novikov, A. G. Gladyshev, E. S. Kolodeznyi, A. V. Babichev, V. V. Andryushkin, V. N. Nevedomskiy, D. V. Denisov, L. Ya. Karachinsky, A. Yu. Egorov, V. E. Bugrov, “The influence of the parameters of a short-period InGaAs/InGaAlAs superlattice on photoluminescence efficiency”, Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1128–1131 |
2
|
|
2019 |
| 9. |
Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. В. Бабичев, А. Г. Гладышев, Е. С. Колодезный, С. С. Рочас, А. С. Курочкин, Ю. К. Бобрецова, А. А. Климов, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, А. С. Ионов, В. Е. Бугров, А. Ю. Егоров, “Оптическое усиление в лазерных гетероструктурах с активной областью на основе короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs”, Оптика и спектроскопия, 127:6 (2019), 963–966 ; L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, A. V. Babichev, A. G. Gladyshev, E. S. Kolodeznyi, S. S. Rochas, A. S. Kurochkin, Yu. K. Bobretsova, A. A. Klimov, D. V. Denisov, K. O. Voropaev, A. S. Ionov, V. E. Bugrov, A. Yu. Egorov, “Optical gain in laser heterostructures with an active area based on an InGaAs/InGaAlAs superlattice”, Optics and Spectroscopy, 127:6 (2019), 1053–1056 |
14
|
| 10. |
А. В. Бабичев, В. В. Дюделев, А. Г. Гладышев, Д. А. Михайлов, А. С. Курочкин, Е. С. Колодезный, В. Е. Бугров, В. Н. Неведомский, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, Д. В. Денисов, А. С. Ионов, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, Г. С. Соколовский, А. Ю. Егоров, “Мощные квантово-каскадные лазеры с длиной волны генерации 8 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019), 48–51 ; A. V. Babichev, V. V. Dyudelev, A. G. Gladyshev, D. A. Mikhailov, A. S. Kurochkin, E. S. Kolodeznyi, V. E. Bugrov, V. N. Nevedomskiy, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, D. V. Denisov, A. S. Ionov, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, G. S. Sokolovskii, A. Yu. Egorov, “High-power quantum-cascade lasers emitting in the 8-$\mu$m wavelength range”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 735–738 |
16
|
| 11. |
А. В. Бабичев, А. Г. Гладышев, А. С. Курочкин, В. В. Дюделев, Е. С. Колодезный, Г. С. Соколовский, В. Е. Бугров, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, Д. В. Денисов, А. С. Ионов, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, А. Ю. Егоров, “Одночастотная генерация арочных квантово-каскадных лазеров при комнатной температуре”, Письма в ЖТФ, 45:8 (2019), 31–33 ; A. V. Babichev, A. G. Gladyshev, A. S. Kurochkin, V. V. Dyudelev, E. S. Kolodeznyi, G. S. Sokolovskii, V. E. Bugrov, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, D. V. Denisov, A. S. Ionov, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, A. Yu. Egorov, “Room temperature lasing of single-mode arched-cavity quantum-cascade lasers”, Tech. Phys. Lett., 45:4 (2019), 398–400 |
17
|
|
2018 |
| 12. |
А. В. Бабичев, А. Г. Гладышев, А. С. Курочкин, Е. С. Колодезный, Г. С. Соколовский, В. Е. Бугров, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, A. Bousseksou, А. Ю. Егоров, “Лазерная генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 8 мкм при комнатной температуре”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 954–957 ; A. V. Babichev, A. G. Gladyshev, A. S. Kurochkin, E. S. Kolodeznyi, G. S. Sokolovskii, V. E. Bugrov, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, A. Bousseksou, A. Yu. Egorov, “Room temperature lasing of multi-stage quantum-cascade lasers at 8 $\mu$m wavelength”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1082–1085 |
17
|
| 13. |
Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря, А. Г. Зегря, В. Е. Бугров, “Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 207–220 ; N. V. Pavlov, G. G. Zegrya, A. G. Zegrya, V. E. Bugrov, “Intraband radiation absorption by holes in InAsSb/AlSb and InGaAsP/InP quantum wells”, Semiconductors, 52:2 (2018), 195–208 |
2
|
| 14. |
М. С. Буяло, И. М. Гаджиев, Н. Д. Ильинская, А. А. Усикова, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Е. С. Колодезный, В. Е. Бугров, А. Ю. Егоров, Е. Л. Портной, “Синхронизация мод в лазерах спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе “тонких” квантовых ям”, Письма в ЖТФ, 44:4 (2018), 95–102 ; M. S. Buyalo, I. M. Gadzhiev, N. D. Il'inskaya, A. A. Usikova, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, E. S. Kolodeznyi, V. E. Bugrov, A. Yu. Egorov, E. L. Portnoǐ, “Mode-locked lasers with “thin” quantum wells in 1.55 $\mu$m spectral range”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 174–177 |
1
|
| 15. |
В. В. Дюделев, А. Р. Ахматханов, Е. Д. Грешняков, С. Х. Абдулразак, В. Е. Бугров, Е. А. Когновицкая, В. И. Кучинский, В. Я. Шур, Г. С. Соколовский, “Генерация второй гармоники в гребенчатых волноводах в периодически поляризованном ниобате лития”, Квантовая электроника, 48:8 (2018), 717–719 [V. V. Dyudelev, A. R. Akhmatkhanov, E. D. Greshnyakov, S. Kh. Abdulrazak, V. E. Bugrov, E. A. Kognovitskaya, V. I. Kuchinskii, V. Ya. Shur, G. S. Sokolovskii, “Generation of the second harmonic in ridge waveguides formed in periodically poled lithium niobate”, Quantum Electron., 48:8 (2018), 717–719   ] |
1
|
|
2017 |
| 16. |
К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. А. Семакова, М. П. Михайлова, Н. Д. Стоянов, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, А. П. Астахова, А. В. Черняев, H. Lipsanen, В. Е. Бугров, “Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2–300 K”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 247–252 ; K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, A. A. Semakova, M. P. Mikhailova, N. D. Stoyanov, S. S. Kizhaev, S. S. Molchanov, A. P. Astakhova, A. V. Chernyaev, H. Lipsanen, V. E. Bugrov, “Electroluminescence of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures in the temperature range 4.2–300 K”, Semiconductors, 51:2 (2017), 239–244 |
5
|
| 17. |
А. В. Бабичев, А. Г. Гладышев, А. В. Филимонов, В. Н. Неведомский, А. С. Курочкин, Е. С. Колодезный, Г. С. Соколовский, В. Е. Бугров, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, A. Bousseksou, А. Ю. Егоров, “Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 7–8 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 43:14 (2017), 64–71 ; A. V. Babichev, A. G. Gladyshev, A. V. Filimonov, V. N. Nevedomskiy, A. S. Kurochkin, E. S. Kolodeznyi, G. S. Sokolovskii, V. E. Bugrov, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, A. Bousseksou, A. Yu. Egorov, “Heterostructures for quantum-cascade lasers of the wavelength range of 7–8 $\mu$m”, Tech. Phys. Lett., 43:7 (2017), 666–669 |
33
|
|
2016 |
| 18. |
И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Е. С. Колодезный, В. Е. Бугров, А. С. Курочкин, А. Г. Гладышев, А. В. Бабичев, И. М. Гаджиев, М. С. Буяло, Ю. М. Задиранов, А. А. Усикова, Ю. М. Шерняков, А. В. Савельев, И. А. Няпшаев, А. Ю. Егоров, “Усилительные свойства “тонких” упруго напряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1429–1433 ; I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, E. S. Kolodeznyi, V. E. Bugrov, A. S. Kurochkin, A. G. Gladyshev, A. V. Babichev, I. M. Gadzhiev, M. S. Buyalo, Yu. M. Zadiranov, A. A. Usikova, Yu. M. Shernyakov, A. V. Savel'ev, I. A. Nyapshaev, A. Yu. Egorov, “On the gain properties of “thin” elastically strained InGaAs/InGaAlAs quantum wells emitting in the near-infrared spectral region near 1550 nm”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1412–1415 |
9
|
| 19. |
В. И. Николаев, А. И. Печников, С. И. Степанов, Ш. Ш. Шарофидинов, А. А. Головатенко, И. П. Никитина, А. Н. Смирнов, В. Е. Бугров, А. Е. Романов, П. Н. Брунков, Д. А. Кириленко, “Хлоридная эпитаксия слоев $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках базисной ориентации”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 997–1000 ; V. I. Nikolaev, A. I. Pechnikov, S. I. Stepanov, Sh. Sh. Sharofidinov, A. A. Golovatenko, I. P. Nikitina, A. N. Smirnov, V. E. Bugrov, A. E. Romanov, P. N. Brunkov, D. A. Kirilenko, “Chloride epitaxy of $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ layers grown on $c$-sapphire substrates”, Semiconductors, 50:7 (2016), 980–983 |
5
|
| 20. |
А. Ю. Егоров, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. В. Бабичев, В. Н. Неведомский, В. Е. Бугров, “Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250–1400 нм”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 624–627 ; A. Yu. Egorov, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, A. V. Babichev, V. N. Nevedomskiy, V. E. Bugrov, “Optical properties of metamorphic GaAs/InAlGaAs/InGaAs heterostructures with InAs/InGaAs quantum wells, emitting light in the 1250–1400-nm spectral range”, Semiconductors, 50:5 (2016), 612–615 |
2
|
| 21. |
Ш. Ш. Шарофидинов, В. И. Николаев, А. Н. Смирнов, А. В. Чикиряка, И. П. Никитина, М. А. Одноблюдов, В. Е. Бугров, А. Е. Романов, “Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 549–552 ; Sh. Sh. Sharofidinov, V. I. Nikolaev, A. N. Smirnov, A. V. Chikiryaka, I. P. Nikitina, M. A. Odnoblyudov, V. E. Bugrov, A. E. Romanov, “On a reduction in cracking upon the growth of AlN on Si substrates by hydride vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 50:4 (2016), 541–544 |
4
|
|
Обратная связь: