Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 5, страницы 624–627 (Mi phts6462)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250–1400 нм

А. Ю. Егоровabc, Л. Я. Карачинскийabc, И. И. Новиковbac, А. В. Бабичевacb, В. Н. Неведомскийa, В. Е. Бугровb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (996 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Показана возможность создания методом молекулярно-пучковой эпитаксии метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250–1400 нм. Исследованы структурные и оптические свойства методами рентгеновской дифракции, просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции. Проведeнный сравнительный анализ интегральной интенсивности фотолюминесценции созданных гетероструктур и эталонного образца подтвердил высокую эффективность излучательной рекомбинации в созданных гетероструктурах. Отсутствие проникновения дислокаций в активную область метаморфных гетероструктур, где происходит процесс излучальной рекомбинации носителей заряда, подтверждено методом просвечивающей электронной микроскопии.
Поступила в редакцию: 10.11.2015
Принята в печать: 16.11.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 5, Pages 612–615
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616050079
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Ю. Егоров, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. В. Бабичев, В. Н. Неведомский, В. Е. Бугров, “Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250–1400 нм”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 624–627; Semiconductors, 50:5 (2016), 612–615
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{EgoKarNov16}
\by А.~Ю.~Егоров, Л.~Я.~Карачинский, И.~И.~Новиков, А.~В.~Бабичев, В.~Н.~Неведомский, В.~Е.~Бугров
\paper Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250--1400 нм
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 5
\pages 624--627
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6462}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368884}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 5
\pages 612--615
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616050079}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6462
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i5/p624
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:34
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024