Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 2, страницы 207–220
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.02.45445.8645 (Mi phts5918) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP

Н. В. Павловa, Г. Г. Зегряab, А. Г. Зегряa, В. Е. Бугровb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
PDF полного текста (499 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.02.45445.8645
Аннотация: В рамках четырехзонной модели Кейна выполнен микроскопический анализ механизма внутризонного поглощения излучения дырками с переходом их в спин-отщепленную зону для квантовых ям на основе полупроводников InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP. Расчет проведен для двух поляризаций падающего излучения: вдоль оси роста кристалла и в плоскости квантовой ямы. Показано, что поглощение с переходом в дискретный спектр спин-отщепленных дырок имеет большую интенсивность, чем для переходов в непрерывный спектр. Проведен подробный анализ зависимости коэффициента внутризонного поглощения от температуры, концентрации дырок и ширины квантовой ямы. Показано, что данный процесс может быть основным механизмом внутренних потерь излучения для лазеров на квантовых ямах.
Поступила в редакцию: 11.05.2017
Принята в печать: 30.06.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 2, Pages 195–208
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618020112
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря, А. Г. Зегря, В. Е. Бугров, “Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 207–220; Semiconductors, 52:2 (2018), 195–208
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PavZegZeg18}
\by Н.~В.~Павлов, Г.~Г.~Зегря, А.~Г.~Зегря, В.~Е.~Бугров
\paper Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 2
\pages 207--220
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5918}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.02.45445.8645}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739663}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 2
\pages 195--208
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618020112}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5918
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i2/p207
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:33
    PDF полного текста:29
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024