Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 8, страницы 954–957
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46226.8834
(Mi phts5770)
 

Эта публикация цитируется в 17 научных статьях (всего в 17 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Лазерная генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 8 мкм при комнатной температуре

А. В. Бабичевab, А. Г. Гладышевb, А. С. Курочкинa, Е. С. Колодезныйa, Г. С. Соколовскийacd, В. Е. Бугровa, Л. Я. Карачинскийabc, И. И. Новиковabc, A. Bousseksoue, А. Ю. Егоровa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
e Center of Nanoscience and Nanotechnology (C2N), Universite, Paris Sud and Paris-Saclay
Аннотация: Продемонстрирована лазерная генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров при комнатной температуре на длине волны излучения 8 мкм при накачке импульсами тока. Гетероструктура квантово-каскадного лазера на основе гетеропары твердых растворов In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/Al$_{0.48}$In$_{0.52}$As, согласованной с подложкой InP, выращена методом молекулярно-пучковой эпитаксии и состоит из 50 идентичных каскадов, помещенных в волновод с верхней воздушной обкладкой. Плотность порогового тока при температуре 300 K для полоскового лазера с длиной резонатора 1.4 мм и шириной полоска 24 мкм составляет $\sim$5.1 кA/см$^{2}$.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 14.578.21.0204
Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках Федеральной целевой программы “Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014–2020 годы”, шифр 2016-14-579-0009, соглашение № 14.578.21.0204 от 3 октября 2016 г., уникальный идентификатор RFMEFI57816X0204.
Поступила в редакцию: 01.02.2018
Принята в печать: 12.02.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 8, Pages 1082–1085
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618080031
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Бабичев, А. Г. Гладышев, А. С. Курочкин, Е. С. Колодезный, Г. С. Соколовский, В. Е. Бугров, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, A. Bousseksou, А. Ю. Егоров, “Лазерная генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 8 мкм при комнатной температуре”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 954–957; Semiconductors, 52:8 (2018), 1082–1085
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BabGlaKur18}
\by А.~В.~Бабичев, А.~Г.~Гладышев, А.~С.~Курочкин, Е.~С.~Колодезный, Г.~С.~Соколовский, В.~Е.~Бугров, Л.~Я.~Карачинский, И.~И.~Новиков, A.~Bousseksou, А.~Ю.~Егоров
\paper Лазерная генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 8 мкм при комнатной температуре
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 8
\pages 954--957
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5770}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46226.8834}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269443}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 8
\pages 1082--1085
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618080031}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5770
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i8/p954
  • Эта публикация цитируется в следующих 17 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:70
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024