Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 2021, том 63, выпуск 6, страницы 788–795
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2021.06.50941.029
(Mi ftt8119)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Механические свойства, физика прочности и пластичность

Релаксация напряжений несоответствия в гетероструктурах $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$/$\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$ при образовании дислокаций несоответствия

А. М. Смирновa, А. В. Кремлеваa, Ш. Ш. Шарофидиновb, В. Е. Бугровa, А. Е. Романовab

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Предложена теоретическая модель релаксации напряжений несоответствия в гетероструктурах $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$/$\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$ типа пленка/подложка с учетом анизотропии кристаллических решеток материалов гетероструктуры. Рассмотрено зарождение дислокаций несоответствия в результате базисного или призматического скольжения в гетероструктурах $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$/$\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$ с различной ориентацией пленки. Получены зависимости критической толщины $h_{c}$ (толщина пленки, выше которой выгодно зарождение дислокаций несоответствия) от угла $\vartheta$ между полярной осью $c$ и нормалью к плоскости роста пленки для гетероструктур $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$/$\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$. Показано, что учет упругой константы $C_{14}$ излишен в рассмотренных моделях релаксации в гетероструктурах $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$/$\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$.
Ключевые слова: широкозонные полупроводники, оксид галлия, сапфир, релаксация напряжений несоответствия, дислокации несоответствия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-79-00349
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда (проект № 19-79-00349).
Поступила в редакцию: 12.02.2021
Исправленный вариант: 12.02.2021
Принята в печать: 12.02.2021
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2021, Volume 63, Issue 6, Pages 924–931
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783421060214
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. М. Смирнов, А. В. Кремлева, Ш. Ш. Шарофидинов, В. Е. Бугров, А. Е. Романов, “Релаксация напряжений несоответствия в гетероструктурах $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$/$\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$ при образовании дислокаций несоответствия”, Физика твердого тела, 63:6 (2021), 788–795; Phys. Solid State, 63:6 (2021), 924–931
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SmiKreSha21}
\by А.~М.~Смирнов, А.~В.~Кремлева, Ш.~Ш.~Шарофидинов, В.~Е.~Бугров, А.~Е.~Романов
\paper Релаксация напряжений несоответствия в гетероструктурах $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$/$\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$ при образовании дислокаций несоответствия
\jour Физика твердого тела
\yr 2021
\vol 63
\issue 6
\pages 788--795
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt8119}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2021.06.50941.029}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46349249}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2021
\vol 63
\issue 6
\pages 924--931
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783421060214}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt8119
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v63/i6/p788
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:69
    PDF полного текста:30
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024