Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 22, страницы 43–45
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.22.50308.18499 (Mi pjtf4940) 		 
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Выращивание объемных кристаллов оксида галлия из расплава методом Чохральского в кислородсодержащей атмосфере

Д. А. Закгеймab, Д. Ю. Пановa, В. А. Спиридоновa, А. В. Кремлеваa, А. М. Смирновa, Д. А. Бауманa, А. Е. Романовab, М. А. Одноблюдовac, В. Е. Бугровa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
PDF полного текста (220 kB) Список цитирования (9)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.22.50308.18499
Аннотация: Сообщается об успешных экспериментах по выращиванию кристаллов бета-оксида галлия методом Чохральского. Исследовалось влияние состава ростовой атмосферы на кристаллическое совершенство материала. Показано, что для получения высококачественных оптически прозрачных кристаллов необходимо наличие в атмосфере роста около 5 vol.% кислорода. Проведены рентгеноструктурный анализ и исследование спектров оптического пропускания выращенных кристаллов.
Ключевые слова: оксид галлия, вытягивание из расплава, метод Чохральского, кислородные вакансии.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-19-00686
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (проект № 19-19-00686).
Поступила в редакцию: 05.08.2020
Исправленный вариант: 05.08.2020
Принята в печать: 16.08.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 11, Pages 1144–1146
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020110292
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. А. Закгейм, Д. Ю. Панов, В. А. Спиридонов, А. В. Кремлева, А. М. Смирнов, Д. А. Бауман, А. Е. Романов, М. А. Одноблюдов, В. Е. Бугров, “Выращивание объемных кристаллов оксида галлия из расплава методом Чохральского в кислородсодержащей атмосфере”, Письма в ЖТФ, 46:22 (2020), 43–45; Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1144–1146
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZakPanSpi20}
\by Д.~А.~Закгейм, Д.~Ю.~Панов, В.~А.~Спиридонов, А.~В.~Кремлева, А.~М.~Смирнов, Д.~А.~Бауман, А.~Е.~Романов, М.~А.~Одноблюдов, В.~Е.~Бугров
\paper Выращивание объемных кристаллов оксида галлия из расплава методом Чохральского в кислородсодержащей атмосфере
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 22
\pages 43--45
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4940}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.22.50308.18499}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44367789}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 11
\pages 1144--1146
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020110292}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4940
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i22/p43
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:124
    PDF полного текста:82
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024