Элементное и структурное картирование объемных кристаллов (Al$_{x}$Ga$_{1-x}$)$_{2}$O$_{3}$, полученных методом Чохральского

С помощью рентгенофлуоресцентного и рентгенодифракционного картирования, а также растровой электронной микроскопии проведено исследование распределения алюминия в приповерхностном слое кристалла (Al$_{x}$Ga$_{1-x}$)$_{2}$O$_{3}$, полученного методом Чохральского с использованием сапфировой затравки. Показано, что распределение алюминия коррелирует с изменением физического уширения дифракционных максимумов системы плоскостей ($h$00) кристалла и связано с удаленностью от зоны затравления.