Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 22, страницы 27–30
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.22.50304.18421 (Mi pjtf4936) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Влияние параметров короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs на эффективность фотолюминесценции

С. С. Рочасa, И. И. Новиковa, А. Г. Гладышевa, Е. С. Колодезныйa, А. В. Бабичевa, В. В. Андрюшкинa, В. Н. Неведомскийb, Д. В. Денисовc, Л. Я. Карачинскийa, А. Ю. Егоровd, В. Е. Бугровa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
d ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (152 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.22.50304.18421
Аннотация: Представлены результаты исследования гетероструктур на основе короткопериодных сверхрешеток InGaAs/InGaAlAs, изготовленных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке InP и предназначенных для использования в качестве активных областей для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.3 $\mu$m. Проведены исследования изготовленных гетероструктур методами фотолюминесценции и рентгеновской дифракции. Показано, что изменение отношения толщины квантовой ямы и барьерного слоя сверхрешетки позволяет управляемо смещать положение пика фотолюминесценции для достижения лазерной генерации на длине волны 1.3 $\mu$m, при этом эффективность фотолюминесценции практически не меняется.
Ключевые слова: вертикально-излучающий лазер, активная область, сверхрешетка, квантовая яма, молекулярно-пучковая эпитаксия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 2019-1442
Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования РФ (проект тематики научных исследований № 2019-1442).
Поступила в редакцию: 11.06.2020
Исправленный вариант: 23.07.2020
Принята в печать: 04.08.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 11, Pages 1128–1131
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020110267
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. С. Рочас, И. И. Новиков, А. Г. Гладышев, Е. С. Колодезный, А. В. Бабичев, В. В. Андрюшкин, В. Н. Неведомский, Д. В. Денисов, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, В. Е. Бугров, “Влияние параметров короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs на эффективность фотолюминесценции”, Письма в ЖТФ, 46:22 (2020), 27–30; Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1128–1131
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RocNovGla20}
\by С.~С.~Рочас, И.~И.~Новиков, А.~Г.~Гладышев, Е.~С.~Колодезный, А.~В.~Бабичев, В.~В.~Андрюшкин, В.~Н.~Неведомский, Д.~В.~Денисов, Л.~Я.~Карачинский, А.~Ю.~Егоров, В.~Е.~Бугров
\paper Влияние параметров короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs на эффективность фотолюминесценции
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 22
\pages 27--30
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4936}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.22.50304.18421}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44367785}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 11
\pages 1128--1131
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020110267}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4936
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i22/p27
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:57
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024