Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 2, страницы 247–252
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.02.44113.8305 (Mi phts6241) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2–300 K

К. Д. Мынбаевab, Н. Л. Баженовa, А. А. Семаковаab, М. П. Михайловаa, Н. Д. Стояновc, С. С. Кижаевc, С. С. Молчановc, А. П. Астаховаc, А. В. Черняевac, H. Lipsanenbd, В. Е. Бугровb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c ООО "Микросенсор Технолоджи", г. Санкт-Петербург
d Aalto University, Aalto, Finland
PDF полного текста (155 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.02.44113.8305
Аннотация: Исследована электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAsSbP и InAsSb/InAsSbP, выращенных на подложках InAs, в диапазоне температур $T$ = 4.2–300 K. При низких температурах ($T$ = 4.2–100 K) обнаружен эффект возникновения стимулированного излучения на длинах волн 3.03 и 3.55 мкм для структур InAs/InAsSbP и InAsSb/InAsSbP cooтветственно, с резонатором, сформированным перпендикулярно плоскости роста. Излучение становилось спонтанным при $T>$ 70 K из-за резонансного “включения” оже-процесса CHHS, при котором энергия рекомбинирующей электронно-дырочной пары передается дырке с переходом последней в спин-орбитально отщепленную зону, и оставалось таковым c увеличением температуры из-за усиления влияния других оже-процессов. Полученные результаты показывают перспективность использования структур на основе InAs/InAs(Sb)/InAsSbP для создания вертикально-излучающих лазеров среднего инфракрасного диапазона.
Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 08.06.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 2, Pages 239–244
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617020117
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. А. Семакова, М. П. Михайлова, Н. Д. Стоянов, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, А. П. Астахова, А. В. Черняев, H. Lipsanen, В. Е. Бугров, “Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2–300 K”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 247–252; Semiconductors, 51:2 (2017), 239–244
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MynBazSem17}
\by К.~Д.~Мынбаев, Н.~Л.~Баженов, А.~А.~Семакова, М.~П.~Михайлова, Н.~Д.~Стоянов, С.~С.~Кижаев, С.~С.~Молчанов, А.~П.~Астахова, А.~В.~Черняев, H.~Lipsanen, В.~Е.~Бугров
\paper Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2--300 K
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 2
\pages 247--252
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6241}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.02.44113.8305}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29006006}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 2
\pages 239--244
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617020117}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6241
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i2/p247
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:43
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024