|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
К. В. Лихачев, И. Д. Бреев, С. В. Кидалов, П. Г. Баранов, С. С. Нагалюк, А. В. Анкудинов, А. Н. Анисимов, “Наночастицы 6H-SiC, интегрированные с атомно-силовым микроскопом для сканирующих квантовых сенсоров”, Письма в ЖЭТФ, 116:11 (2022), 810–815  ; K. V. Likhachev, I. D. Breev, S. V. Kidalov, P. G. Baranov, S. S. Nagalyuk, A. V. Ankudinov, A. N. Anisimov, “6H-SiC nanoparticles integrated with an atomic force microscope for scanning quantum sensors”, JETP Letters, 116:11 (2022), 840–845 |
2
|
| 2. |
Р. А. Бабунц, Ю. А. Успенская, А. П. Бундакова, Г. В. Мамин, А. Н. Анисимов, П. Г. Баранов, “Релаксационные процессы и когерентные спиновые манипуляции для триплетных Si-C дивакансий в карбиде кремния, десятикратно обогащенном изотопом $^{13}$C”, Письма в ЖЭТФ, 116:11 (2022), 763–769 ; R. A. Babunts, Yu. A. Uspenskaya, A. P. Bundakova, G. V. Mamin, A. N. Anisimov, P. G. Baranov, “Relaxation processes and coherent spin manipulations for triplet Si-C divacancies in silicon carbide enriched tenfold in the $^{13}$C isotope”, JETP Letters, 116:11 (2022), 785–790 |
3
|
| 3. |
Р. А. Бабунц, Ю. А. Успенская, А. С. Гурин, А. П. Бундакова, Г. В. Мамин, А. Н. Анисимов, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов, “Проявления электронно-ядерных взаимодействий в спектрах высокочастотного ДЭЯР/ОДМР для триплетных Si-C дивакансий в SiC, обогащенном изотопом $^{13}$C”, Письма в ЖЭТФ, 116:7 (2022), 481–489 ; R. A. Babunts, Yu. A. Uspenskaya, A. S. Gurin, A. P. Bundakova, G. V. Mamin, A. N. Anisimov, E. N. Mokhov, P. G. Baranov, “Manifestations of electron-nuclear interactions in the high-frequency ENDOR/ODMR spectra for triplet Si-C divacancies in $^{13}$C-enriched SiC”, JETP Letters, 116:7 (2022), 485–492 |
2
|
|
2021 |
| 4. |
Р. А. Бабунц, А. Н. Анисимов, И. Д. Бреев, А. С. Гурин, А. П. Бундакова, М. В. Музафарова, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов, “Полностью оптическая регистрация сверхтонких электронно-ядерных взаимодействий в спиновых центрах в кристаллах 6H-SiC с модифицированным изотопным составом $^{13}$C”, Письма в ЖЭТФ, 114:8 (2021), 533–540 ; R. A. Babunts, A. N. Anisimov, I. D. Breev, A. S. Gurin, A. P. Bundakova, M. V. Muzafarova, E. N. Mokhov, P. G. Baranov, “Fully optical detection of hyperfine electron–nuclear interactions in spin centers in 6h-sic crystals with a modified 13c isotope content”, JETP Letters, 114:8 (2021), 463–469  |
4
|
| 5. |
И. Д. Бреев, К. В. Лихачев, В. В. Яковлева, И. П. Вейшторт, А. М. Скоморохов, С. С. Нагалюк, Е. Н. Мохов, Г. В. Астахов, П. Г. Баранов, А. Н. Анисимов, “Влияние механических напряжений на расщепление спиновых подуровней в 4H-SiC”, Письма в ЖЭТФ, 114:5 (2021), 323–327 ; I. D. Breev, K. V. Likhachev, V. V. Yakovleva, I. P. Veishtort, A. M. Skomorokhov, S. S. Nagalyuk, E. N. Mokhov, G. V. Astakhov, P. G. Baranov, A. N. Anisimov, “Effect of mechanical stress on the splitting of spin sublevels in 4H-SiC”, JETP Letters, 114:5 (2021), 274–278  |
3
|
| 6. |
И. Д. Бреев, В. Д. Яковлева, О. С. Кудрявцев, П. Г. Баранов, Е. Н. Мохов, А. Н. Анисимов, “Спектроскопия комбинационного рассеяния, инфракрасного поглощения и люминесценции нитрида алюминия, легированного бериллием”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 251–255  ; I. D. Breev, V. V. Yakovleva, O. S. Kudryavtsev, P. G. Baranov, E. N. Mokhov, A. N. Anisimov, “On the Raman scattering, infrared absorption, and luminescence spectroscopy of aluminum nitride doped with beryllium”, Semiconductors, 55:3 (2021), 328–332 |
|
2020 |
| 7. |
А. Н. Анисимов, Р. А. Бабунц, И. Д. Бреев, В. А. Солтамов, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов, “Высокотемпературные спиновые манипуляции на центрах окраски в ромбическом политипе карбида кремния 21R-SiC”, Письма в ЖЭТФ, 112:12 (2020), 813–819 ; A. N. Anisimov, R. A. Babunts, I. D. Breev, V. A. Soltamov, E. N. Mokhov, P. G. Baranov, “High-temperature spin manipulation on color centers in rhombic silicon carbide polytype 21R-SiC”, JETP Letters, 112:12 (2020), 774–779 |
4
|
|
2019 |
| 8. |
И. Д. Бреев, А. Н. Анисимов, А. А. Вольфсон, О. П. Казарова, Е. Н. Мохов, “Комбинационное рассеяние света в кристаллах AlN, выращенных методом сублимации на затравках SiC и AlN”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1593–1596 ; I. D. Breev, A. N. Anisimov, A. A. Vol'fson, O. P. Kazarova, E. N. Mokhov, “Raman scattering in AlN crystals grown by sublimation on SiC и AlN seeds”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1558–1561 |
9
|
| 9. |
А. Н. Анисимов, Р. А. Бабунц, И. Д. Бреев, А. П. Бундакова, И. В. Ильин, М. В. Музафарова, П. Г. Баранов, “Сканирующий оптический квантовый магнитометр, основанный на явлении выжигания провалов”, Письма в ЖТФ, 45:10 (2019), 22–26 ; A. N. Anisimov, R. A. Babunts, I. D. Breev, A. P. Bundakova, I. V. Il'in, M. V. Muzafarova, P. G. Baranov, “A scanning optical quantum magnetometer based on the phenomenon of burning holes”, Tech. Phys. Lett., 45:5 (2019), 494–498 |
| 10. |
А. А. Лебедев, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Н. Анисимов, П. Г. Баранов, “Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)”, УФН, 189:8 (2019), 803–848 ; A. A. Lebedev, P. A. Ivanov, M. E. Levinshtein, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. N. Anisimov, P. G. Baranov, “SiC-based electronics (100th anniversary of the Ioffe Institute)”, Phys. Usp., 62:8 (2019), 754–794 |
14
|
|
2018 |
| 11. |
А. Н. Анисимов, В. А. Солтамов, И. Д. Бреев, М. М. Халисов, Р. А. Бабунц, А. В. Анкудинов, П. Г. Баранов, “Физические основы применения сканирующего зонда со спиновыми центрами в SiC для субмикронного квантового зондирования магнитных полей и температур”, Письма в ЖЭТФ, 108:9 (2018), 643–649 ; A. N. Anisimov, V. A. Soltamov, I. D. Breev, M. M. Khalisov, R. A. Babunts, A. V. Ankudinov, P. G. Baranov, “Physical foundations of an application of scanning probe with spin centers in SiC for the submicron quantum probing of magnetic fields and temperatures”, JETP Letters, 108:9 (2018), 610–615 |
6
|
| 12. |
А. Н. Анисимов, А. А. Вольфсон, Е. Н. Мохов, “Спектры рамановского рассеяния толстых эпитаксиальных слоев GaN на SiC, полученных сублимационным сандвич-методом”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1104–1106 ; A. N. Anisimov, A. A. Vol'fson, E. N. Mokhov, “Raman spectra of thick epitaxial GaN layers formed on SiC by the sublimation sandwich method”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1225–1227 |
2
|
| 13. |
А. Н. Анисимов, Р. А. Бабунц, М. В. Музафарова, А. П. Бундакова, В. А. Солтамов, П. Г. Баранов, “Оптический квантовый термометр с субмикронным разрешением, основанный на явлении кросс-релаксации спиновых уровней”, Письма в ЖТФ, 44:17 (2018), 34–41 ; A. N. Anisimov, R. A. Babunts, M. V. Muzafarova, A. P. Bundakova, V. A. Soltamov, P. G. Baranov, “An optical quantum thermometer with submicron resolution based on the cross-relaxation phenomenon of spin levels”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 772–775 |
|
2017 |
| 14. |
А. Н. Анисимов, Р. А. Бабунц, М. В. Музафарова, А. П. Бундакова, И. В. Ильин, В. А. Солтамов, Н. Г. Романов, П. Г. Баранов, “Оптический квантовый термометр с субмикронным разрешением, основанный на явлении антипересечения уровней”, Письма в ЖТФ, 43:7 (2017), 70–77 ; A. N. Anisimov, R. A. Babunts, M. V. Muzafarova, A. P. Bundakova, I. V. Il'in, V. A. Soltamov, N. G. Romanov, P. G. Baranov, “An optical quantum thermometer with submicrometer resolution based on the level anticrossing phenomenon”, Tech. Phys. Lett., 43:4 (2017), 355–357 |
2
|
|
2016 |
| 15. |
М. В. Музафарова, И. В. Ильин, А. Н. Анисимов, Е. Н. Мохов, В. А. Солтамов, П. Г. Баранов, “Электронная структура и пространственное распределение спиновой плотности мелких доноров азота в кристаллической решетке SiC”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2319–2335 ; M. V. Muzafarova, I. V. Il'in, A. N. Anisimov, E. N. Mokhov, V. A. Soltamov, P. G. Baranov, “Electronic structure and spatial distribution of the spin density of shallow nitrogen donors in the SiC lattice”, Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2406–2422 |
4
|
| 16. |
A. N. Anisimov, R. A. Babunts, S. V. Kidalov, E. N. Mokhov, V. A. Soltamov, P. G. Baranov, “Spin centres in SiC for all-optical nanoscale quantum sensing under ambient conditions”, Письма в ЖЭТФ, 104:2 (2016), 83 ; JETP Letters, 104:2 (2016), 82–87 |
8
|
| 17. |
А. Н. Анисимов, Д. О. Толмачев, Р. А. Бабунц, М. В. Музафарова, А. П. Бундакова, И. В. Ильин, В. А. Солтамов, П. Г. Баранов, Е. Н. Мохов, G. V. Astakhov, V. Dyakonov, “Оптический квантовый магнитометр с субмикронным разрешением, основанный на явлении антипересечения уровней”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016), 22–29 ; A. N. Anisimov, D. O. Tolmachev, R. A. Babunts, M. V. Muzafarova, A. P. Bundakova, I. V. Il'in, V. A. Soltamov, P. G. Baranov, E. N. Mokhov, G. V. Astakhov, V. Dyakonov, “An optical quantum magnetometer with submicron resolution based on the level anticrossing phenomenon”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 618–621 |
2
|
|
2012 |
| 18. |
R. A. Babunts, A. A. Soltamova, D. O. Tolmachev, V. A. Soltamov, A. S. Gurin, A. N. Anisimov, V. L. Preobrazhenskii, P. G. Baranov, “Temperature-scanned magnetic resonance and the evidence
of two-way transfer of a nitrogen nuclear spin hyperfine interaction
in coupled NV–N pairs in diamond”, Письма в ЖЭТФ, 95:8 (2012), 477–480 ; JETP Letters, 95:8 (2012), 429–432 |
10
|
|
1990 |
| 19. |
А. Н. Анисимов, О. А. Чивилева, А. Г. Гуревич, “Влияние волны большой амплитуды на затухание слабой поверхностной магнитостатической волны”, Физика твердого тела, 32:6 (1990), 1622–1628 |
1
|
|
1986 |
| 20. |
Б. Н. Гусев, А. Г. Гуревич, А. Н. Анисимов, О. А. Чивилева, М. А. Винник, И. Л. Березин, “Частотные зависимости затухания и порога нелинейности поверхностных спиновых волн в пленках”, Физика твердого тела, 28:10 (1986), 2969–2974 |
1
|
|
1983 |
| 21. |
Н. И. Солин, А. Н. Анисимов, А. А. Самохвалов, А. Г. Гуревич, “Продольная накачка спиновых волн в EuO”, Физика твердого тела, 25:11 (1983), 3498–3500 |
|
Обратная связь: