Релаксационные процессы и когерентные спиновые манипуляции для триплетных Si-C дивакансий в карбиде кремния, десятикратно обогащенном изотопом $^{13}$C

Когерентные спиновые манипуляции ансамблей центров окраски в виде нейтральных V$_{\text{Si}}$-V$_{\text{C}}$ дивакансий со спином $S = 1$ в гексагональном политипе карбида кремния 6H-SiC, обогащенном изотопом $^{13}$C ($12\,\%$), были изучены в сильных магнитных полях с использованием методов электронного спинового эха и осцилляций Раби. Эксперименты с осцилляциями Раби показывают, что спиновая когерентность создается в SiC с десятикратно повышенной концентрацией изотопа $^{13}$C с ядерным магнитным моментом. Измерены времена спин-решеточной релаксации $T_1$ и спин-спиновой релаксации $T_2$ в условиях оптического выстраивания спинов: $T_1\sim5\,$мс и $T_2\sim15\,$мкс, $T = 150\,$K, магнитное поле $\sim3$ Tл. Оптическое выстраивание населенностей спиновых уровней позволяет манипулировать электронными и ядерными спинами в условиях окружающей среды с помощью оптического, микроволнового и радиочастотного излучения.