Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2022, том 116, выпуск 11, страницы 810–815
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567822230112 (Mi jetpl6820) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

МЕТОДЫ ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ

Наночастицы 6H-SiC, интегрированные с атомно-силовым микроскопом для сканирующих квантовых сенсоров

К. В. Лихачев, И. Д. Бреев, С. В. Кидалов, П. Г. Баранов, С. С. Нагалюк, А. В. Анкудинов, А. Н. Анисимов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
PDF полного текста (552 kB) Первая страница Список цитирования (4)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567822230112
Аннотация: Мы изготовили квантовый датчик магнитного поля, используя вакансионные центры кремния в 6H-SiC на основе метода атомно-силовой микроскопии. Квантовая сенсорика происходит с помощью метода оптически детектируемого магнитного резонанса. Для реализации квантовой сканирующей микроскопии мы прикрепили одну наночастицу 6H-SiC на острие кантилевера. Изготовленные таким образом квантовые датчики охарактеризованы с помощью оптической спектроскопии и электронной микроскопии. Их использование является более экономически целесообразным и позволяет использовать квантовые сканирующие микроскопы в физиологических условиях и проводящей среде.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 20-52-76010
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации СП-2179.2021.5
Работа выполнена при частичной финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, грант # 20-52-76010. А. Н. Анисимов благодарит Совет по грантам Президента Российской Федерации за финансовую поддержку данной работы (Стипендия # СП-2179.2021.5).
Поступила в редакцию: 10.10.2022
Исправленный вариант: 10.10.2022
Принята в печать: 18.10.2022
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2022, Volume 116, Issue 11, Pages 840–845
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364022602251
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. В. Лихачев, И. Д. Бреев, С. В. Кидалов, П. Г. Баранов, С. С. Нагалюк, А. В. Анкудинов, А. Н. Анисимов, “Наночастицы 6H-SiC, интегрированные с атомно-силовым микроскопом для сканирующих квантовых сенсоров”, Письма в ЖЭТФ, 116:11 (2022), 810–815; JETP Letters, 116:11 (2022), 840–845
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LikBreKid22}
\by К.~В.~Лихачев, И.~Д.~Бреев, С.~В.~Кидалов, П.~Г.~Баранов, С.~С.~Нагалюк, А.~В.~Анкудинов, А.~Н.~Анисимов
\paper Наночастицы 6H-SiC, интегрированные с атомно-силовым микроскопом для сканирующих квантовых сенсоров
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2022
\vol 116
\issue 11
\pages 810--815
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl6820}
\crossref{https://doi.org/10.31857/S1234567822230112}
\edn{https://elibrary.ru/menygx}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2022
\vol 116
\issue 11
\pages 840--845
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364022602251}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6820
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v116/i11/p810
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:52
    Список литературы:20
    Первая страница:13
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024