|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Д. В. Гуляев, Д. В. Дмитриев, Н. В. Фатеев, Д. Ю. Протасов, А. С. Кожухов, К. С. Журавлев, “GaAs/AlGaAs- и InGaAs/AlGaAs-гетероструктуры для мощных полупроводниковых инфракрасных излучателей”, ЖТФ, 91:11 (2021), 1727–1731   |
| 2. |
А. С. Тарасов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, Р. В. Менщиков, И. Н. Ужаков, А. С. Кожухов, Е. В. Федосенко, О. Е. Терещенко, “Получение атомарно-чистых и структурно-упорядоченных поверхностей эпитаксиальных пленок CdTe для последующей эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 748–753 ; A. S. Tarasov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, R. V. Menshchikov, I. N. Uzhakov, A. S. Kozhukhov, E. V. Fedosenko, O. E. Tereshchenko, “Preparation atomically clean and structurally ordered surfaces of epitaxial CdTe films for subsequent epitaxy”, Semiconductors, 55 (2021), s62–s66 |
5
|
|
2019 |
| 3. |
Д. С. Милахин, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, А. С. Кожухов, И. А. Александров, Н. В. Ржеуцкий, Е. В. Лебедок, Е. А. Разумец, К. С. Журавлев, “Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных $g$-AlN и $g$-Si$_{3}$N$_{3}$”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2327–2332 ; D. S. Milakhin, T. V. Malin, V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, A. S. Kozhukhov, I. A. Aleksandrov, N. V. Rzheutskii, E. V. Lebiadok, A. A. Razumets, K. S. Zhuravlev, “Forming the GaN nanocrystals on the graphene-like $g$-AlN and $g$-Si$_{3}$N$_{3}$ surface”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2329–2334 |
1
|
| 4. |
Т. В. Малин, Д. С. Милахин, И. А. Александров, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, А. А. Зайцев, Д. Ю. Протасов, А. С. Кожухов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, В. Г. Мансуров, К. С. Журавлёв, “Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN”, Письма в ЖТФ, 45:15 (2019), 21–24 ; T. V. Malin, D. S. Milakhin, I. A. Aleksandrov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, A. A. Zaitsev, D. Yu. Protasov, A. S. Kozhukhov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, V. G. Mansurov, K. S. Zhuravlev, “Undoped high-resistance GaN buffer layer for AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 761–764 |
5
|
|
2018 |
| 5. |
К. Н. Астанкова, А. С. Кожухов, И. А. Азаров, Е. Б. Горохов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, “Исследование процесса локального анодного окисления тонких пленок GeO и создание наноструктур на их основе”, Физика твердого тела, 60:4 (2018), 696–700 ; K. N. Astankova, A. S. Kozhukhov, I. A. Azarov, E. B. Gorokhov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, “Local anodic oxidation of thin GeO films and formation of nanostructures based on them”, Phys. Solid State, 60:4 (2018), 700–704 |
2
|
| 6. |
В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, Т. В. Малин, C. А. Тийс, Е. В. Федосенко, А. С. Кожухов, К. С. Журавлев, Ildikó Cora, Béla Pécz, “Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1407–1413 ; V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, T. V. Malin, S. A. Teys, E. V. Fedosenko, A. S. Kozhukhov, K. S. Zhuravlev, Ildikó Cora, Béla Pécz, “Formation of a graphene-like SiN layer on the surface Si(111)”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1511–1517 |
6
|
| 7. |
Т. В. Малин, Д. С. Милахин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, А. С. Кожухов, В. В. Ратников, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, К. С. Журавлев, “Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 643–650 ; T. V. Malin, D. S. Milakhin, V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, A. S. Kozhukhov, V. V. Ratnikov, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, K. S. Zhuravlev, “Effect of the sapphire-nitridation level and nucleation-layer enrichment with aluminum on the structural properties of AlN layers”, Semiconductors, 52:6 (2018), 789–796 |
8
|
| 8. |
D. M. Kazantsev, I. O. Akhundov, V. L. Alperovich, N. L. Shwartz, A. S. Kozhukhov, A. V. Latyshev, “Thermal smoothing and roughening of GaAs surfaces: experiment and Monte Carlo simulation”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 514 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 618–621 |
6
|
|
2017 |
| 9. |
А. В. Гайслер, И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, А. С. Кожухов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. Л. Асеев, “Квантовые точки AlInAs”, Письма в ЖЭТФ, 105:2 (2017), 93–99 ; A. V. Gaisler, I. A. Derebezov, V. A. Gaisler, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, A. S. Kozhukhov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, A. L. Aseev, “AlInAs quantum dots”, JETP Letters, 105:2 (2017), 103–109   |
5
|
| 10. |
А. С. Кожухов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, “Обратимая электрохимическая модификация поверхности полупроводников зондом атомно-силового микроскопа”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 443–445 ; A. S. Kozhukhov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, “Reversible electrochemical modification of the surface of a semiconductor by an atomic-force microscope probe”, Semiconductors, 51:4 (2017), 420–422 |
2
|
|
2016 |
| 11. |
А. С. Кожухов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, “Индиевые нанопроволоки на поверхности кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 918–920 ; A. S. Kozhukhov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, “Indium nanowires at the silicon surface”, Semiconductors, 50:7 (2016), 901–903 |
|
2012 |
| 12. |
В. А. Володин, А. С. Кожухов, А. В. Латышев, Д. В. Щеглов, “Свертка ветвей акустических фононов в направлении, перпендикулярном нанофасеткам, в сверхрешетках GaAs/AlAs (311)А”, Письма в ЖЭТФ, 95:2 (2012), 76–79 ; V. A. Volodin, A. S. Kozhukhov, A. V. Latyshev, D. V. Shcheglov, “Folding of acoustic-phonon modes in GaAs/AlAs (311)A superlattices in the direction perpendicular to nanofacets”, JETP Letters, 95:2 (2012), 70–73 |
4
|
|
2011 |
| 13. |
О. Е. Терещенко, К. А. Кох, В. В. Атучин, К. Н. Романюк, С. В. Макаренко, В. А. Голяшов, А. С. Кожухов, И. П. Просвирин, А. А. Шкляев, “Стабильность поверхности (0001) топологического
изолятора Bi$^2$Se$^3$”, Письма в ЖЭТФ, 94:6 (2011), 500–503 ; O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, V. V. Atuchin, K. N. Romanyuk, S. V. Makarenko, V. A. Golyashov, A. S. Kozhukhov, I. P. Prosvirin, A. A. Shklyaev, “Stability of the (0001) surface of the Bi$^2$Se$^3$ topological insulator”, JETP Letters, 94:6 (2011), 465–468 |
25
|
|
Обратная связь: