Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 9, страницы 748–753
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51289.18 (Mi phts4977) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Получение атомарно-чистых и структурно-упорядоченных поверхностей эпитаксиальных пленок CdTe для последующей эпитаксии

А. С. Тарасовa, Н. Н. Михайловab, С. А. Дворецкийac, Р. В. Менщиковa, И. Н. Ужаковa, А. С. Кожуховa, Е. В. Федосенкоa, О. Е. Терещенкоab

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Томский государственный университет
PDF полного текста (956 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51289.18
Аннотация: Получена атомарно-чистая и структурно-упорядоченная поверхность слоя CdTe подложки (013) GaAs/ZnTe/CdTe после хранения на воздухе с помощью обработки в изопропиловом спирте, насыщенном парами соляной кислоты, и дальнейшего термического отжига в сверхвысоком вакууме. Показано, что химическая обработка поверхности CdTe приводит к удалению собственных оксидов и обогащению поверхности слоем элементного теллура. Во время прогрева в вакууме наблюдается две стадии изменения состояния поверхности ($\sim$ 125$^\circ$С и $\le$ 250$^\circ$С). При $T>$ 250$^\circ$С происходят десорбция элементного теллура и формирование Te-стабилизированной структуры (1$\times$1) CdTe (013).
Ключевые слова: поверхность, подложка GaAs, HgCdTe, PbSnTe, РФЭС, ДБЭО, одноволновая эллипсометрия, химическая подготовка.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-29-20053
20-42-543015
20-32-90154
Российский научный фонд 18-72-10063
Выращивание ГЭС КРТ методом МЛЭ и эллипсометрические измерения проводились при финансовой поддержке гранта РФФИ № 18-29-20053. РФЭС-исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ и Новосибирской области в рамках научного проекта № 20-42-543015. Рост плeнок PbSnTe проводился в рамках проекта РФФИ № 20-32-90154. АСМ-измерения проводились на оборудовании ЦКП “Наноструктуры” при финансовой поддержке РНФ (грант № 18-72-10063).
Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Pages s62–s66
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621090220
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Тарасов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, Р. В. Менщиков, И. Н. Ужаков, А. С. Кожухов, Е. В. Федосенко, О. Е. Терещенко, “Получение атомарно-чистых и структурно-упорядоченных поверхностей эпитаксиальных пленок CdTe для последующей эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 748–753; Semiconductors, 55 (2021), s62–s66
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TarMikDvo21}
\by А.~С.~Тарасов, Н.~Н.~Михайлов, С.~А.~Дворецкий, Р.~В.~Менщиков, И.~Н.~Ужаков, А.~С.~Кожухов, Е.~В.~Федосенко, О.~Е.~Терещенко
\paper Получение атомарно-чистых и структурно-упорядоченных поверхностей эпитаксиальных пленок CdTe для последующей эпитаксии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 9
\pages 748--753
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4977}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51289.18}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46491079}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\pages s62--s66
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621090220}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4977
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i9/p748
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:64
    PDF полного текста:39
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024