Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2011, том 94, выпуск 6, страницы 500–503 (Mi jetpl2033)  
Эта публикация цитируется в 23 научных статьях (всего в 23 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi$^2$Se$^3$

О. Е. Терещенкоab, К. А. Кохc, В. В. Атучинb, К. Н. Романюкab, С. В. Макаренкоa, В. А. Голяшовa, А. С. Кожуховba, И. П. Просвиринd, А. А. Шкляевab

a Новосибирский государственный университет
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
c Институт геологии и минералогии им. В. С. Соболева СО РАН, г. Новосибирск
d Институт катализа им. Г. К. Борескова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (533 kB) Список цитирования (23)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, атомно-силовой и сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии продемонстрирована инертность поверхности скола (0001) монокристаллического Bi$_{2}$Se$_{3}$ к окислению: после месяца хранения образцов на воздухе на поверхности не образуется собственных оксидов висмута и селена. Получены атомно-гладкие поверхности макроскопических размеров (${\sim}\,1\,$см$^{2}$) со средней квадратичной шероховатостью менее $0.1$ нм и атомным разрешением структуры (1$\times$1)-(0001) Bi$_{2}$Se$_{3}$. Измерение туннельной проводимости выявило квазилинейную зависимость поверхностной плотности состояний от энергии в запрещенной зоне Bi$_{2}$Se$_{3}$.
Поступила в редакцию: 09.08.2011
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2011, Volume 94, Issue 6, Pages 465–468
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364011180159
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. Е. Терещенко, К. А. Кох, В. В. Атучин, К. Н. Романюк, С. В. Макаренко, В. А. Голяшов, А. С. Кожухов, И. П. Просвирин, А. А. Шкляев, “Стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi$^2$Se$^3$”, Письма в ЖЭТФ, 94:6 (2011), 500–503; JETP Letters, 94:6 (2011), 465–468
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TerKokAtu11}
\by О.~Е.~Терещенко, К.~А.~Кох, В.~В.~Атучин, К.~Н.~Романюк, С.~В.~Макаренко, В.~А.~Голяшов, А.~С.~Кожухов, И.~П.~Просвирин, А.~А.~Шкляев
\paper Стабильность поверхности (0001) топологического
изолятора Bi$^2$Se$^3$
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2011
\vol 94
\issue 6
\pages 500--503
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl2033}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2011
\vol 94
\issue 6
\pages 465--468
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364011180159}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000297545600012}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-82055206913}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2033
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v94/i6/p500
    • Эта публикация цитируется в следующих 23 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:336
    PDF полного текста:114
    Список литературы:57
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024