|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2011, том 94, выпуск 6, страницы 500–503
(Mi jetpl2033)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 23 научных статьях (всего в 23 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Стабильность поверхности (0001) топологического
изолятора Bi$^2$Se$^3$
О. Е. Терещенкоab, К. А. Кохc, В. В. Атучинb, К. Н. Романюкab, С. В. Макаренкоa, В. А. Голяшовa, А. С. Кожуховba, И. П. Просвиринd, А. А. Шкляевab a Новосибирский государственный университет
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
c Институт геологии и минералогии им. В. С. Соболева СО РАН, г. Новосибирск
d Институт катализа им. Г. К. Борескова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, атомно-силовой и сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии продемонстрирована инертность поверхности скола (0001) монокристаллического Bi$_{2}$Se$_{3}$ к окислению: после месяца хранения образцов на воздухе на поверхности не образуется собственных оксидов висмута и селена. Получены атомно-гладкие поверхности макроскопических размеров (${\sim}\,1\,$см$^{2}$) со средней квадратичной шероховатостью менее $0.1$ нм и атомным разрешением структуры (1$\times$1)-(0001) Bi$_{2}$Se$_{3}$. Измерение туннельной проводимости выявило квазилинейную зависимость поверхностной плотности состояний от энергии в запрещенной зоне Bi$_{2}$Se$_{3}$.
Поступила в редакцию: 09.08.2011
Образец цитирования:
О. Е. Терещенко, К. А. Кох, В. В. Атучин, К. Н. Романюк, С. В. Макаренко, В. А. Голяшов, А. С. Кожухов, И. П. Просвирин, А. А. Шкляев, “Стабильность поверхности (0001) топологического
изолятора Bi$^2$Se$^3$”, Письма в ЖЭТФ, 94:6 (2011), 500–503; JETP Letters, 94:6 (2011), 465–468
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2033 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v94/i6/p500
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 336 | PDF полного текста: | 114 | Список литературы: | 57 |
|