|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, А. И. Охапкин, В. М. Данильцев, Е. В. Скороходов, “Особенности газофазной эпитаксии GaAs на непланарных подложках”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 958–961   ; Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, A. I. Okhapkin, V. M. Daniltsev, E. V. Skorokhodov, “Features of the vapor-phase epitaxy of GaAs on nonplanar substrates”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1147–1149 |
| 2. |
П. А. Юнин, А. И. Охапкин, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, Е. А. Архипова, С. А. Краев, Ю. Н. Дроздов, В. И. Шашкин, Д. Б. Радищев, “Модификация соотношения $sp^2/sp^3$-гибридного углерода в PECVD пленках DLC”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 855–858 ; P. A. Yunin, A. I. Okhapkin, M. N. Drozdov, S. A. Korolev, E. A. Arkhipova, S. A. Kraev, Yu. N. Drozdov, V. I. Shashkin, D. B. Radishev, “Modification of the ratio between $sp^2/sp^3$-hybridized carbon components in PECVD diamond-like films”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1047–1050 |
| 3. |
М. Н. Дроздов, Е. А. Архипова, Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, В. И. Шашкин, А. Е. Парафин, М. А. Лобаев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, Д. Б. Радищев, В. А. Исаев, С. А. Богданов, “Использование импульсного лазерного отжига для формирования омических контактов Mo/Ti к алмазу”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020), 34–38 ; M. N. Drozdov, E. A. Arkhipova, Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, A. E. Parafin, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “The use of pulsed laser annealing to form ohmic Mo/Ti contacts to diamond”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 551–555 |
2
|
| 4. |
М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, А. И. Охапкин, П. А. Юнин, О. А. Стрелецкий, А. Е. Иешкин, “Анализ углеродсодержащих материалов методом вторично-ионной масс-спектрометрии: содержание атомов углерода в $sp^{2}$- и $sp^{3}$-гибридных состояниях”, Письма в ЖТФ, 46:6 (2020), 38–42 ; M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, A. I. Okhapkin, P. A. Yunin, O. A. Streletskii, A. E. Ieshkin, “SIMS analysis of carbon-containing materials: content of carbon atoms in $sp^{2}$ and $sp^{3}$ hybridization states”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 290–294 |
6
|
|
2019 |
| 5. |
М. Н. Дроздов, Е. В. Демидов, Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, В. И. Шашкин, Е. А. Архипова, М. А. Лобаев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, Д. Б. Радищев, В. А. Исаев, С. А. Богданов, “Исследование формирования омических контактов Au/Mo/Ti с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза $p$-типа”, ЖТФ, 89:12 (2019), 1923–1932 ; M. N. Drozdov, E. V. Demidov, Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, E. A. Arkhipova, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “Formation of low-resistivity Au/Mo/Ti ohmic contacts to $p$-diamond epitaxial layers”, Tech. Phys., 64:12 (2019), 1827–1836 |
4
|
| 6. |
М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, А. И. Охапкин, С. А. Краев, М. А. Лобаев, “Новый подход к анализу фазового состава углеродсодержащих материалов методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии”, Письма в ЖТФ, 45:2 (2019), 50–54 ; M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, A. I. Okhapkin, S. A. Kraev, M. A. Lobaev, “A new approach to tof-sims analysis of the phase composition of carbon-containing materials”, Tech. Phys. Lett., 45:1 (2019), 48–52 |
6
|
|
2018 |
| 7. |
Ю. Н. Дроздов, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин, “Проверка гипотезы о термоупругом характере деформации слоя (0001)GaN, выращенного на $a$-срезе сапфира”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1380–1383 ; Yu. N. Drozdov, O. I. Khrykin, P. A. Yunin, “Verification of the hypothesis on the thermoelastic nature of deformation of $a$(0001)GaN layer grown on the sapphire $a$-cut”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1491–1494 |
| 8. |
П. А. Юнин, П. В. Волков, Ю. Н. Дроздов, А. В. Колядин, С. А. Королев, Д. Б. Радищев, Е. А. Суровегина, В. И. Шашкин, “Исследование структурных и морфологических свойств HPHT алмазных подложек”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1321–1325 ; P. A. Yunin, P. V. Volkov, Yu. N. Drozdov, A. V. Koliadin, S. A. Korolev, D. B. Radishev, E. A. Surovegina, V. I. Shashkin, “Study of the structural and morphological properties of HPHT diamond substrates”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1432–1436 |
6
|
| 9. |
П. А. Юнин, Ю. Н. Дроздов, О. И. Хрыкин, В. А. Григорьев, “Исследование анизотропии структурных свойств слоев (0001)GaN, выращенных методом МОГФЭ на $a$-срезе сапфира (11$\bar2$0)”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1300–1303 ; P. A. Yunin, Yu. N. Drozdov, O. I. Khrykin, V. A. Grigoryev, “Investigation of the anisotropy of the structural properties of GaN(0001) layers grown by MOVPE on $a$-plane (11$\bar2$0) sapphire”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1412–1415 |
1
|
| 10. |
М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, А. В. Новиков, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, “Новое ограничение разрешения по глубине при послойном элементном анализе методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии: влияние зондирующего ионного пучка”, Письма в ЖТФ, 44:8 (2018), 11–19 ; M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, A. V. Novikov, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “A new limitation of the depth resolution in tof-sims elemental profiling: the influence of a probing ion beam”, Tech. Phys. Lett., 44:4 (2018), 320–323 |
1
|
| 11. |
М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, М. А. Лобаев, П. А. Юнин, “Новые кластерные вторичные ионы для количественного анализа концентрации атомов бора в алмазе методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии”, Письма в ЖТФ, 44:7 (2018), 52–60 ; M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, M. A. Lobaev, P. A. Yunin, “New cluster secondary ions for quantitative analysis of the concentration of boron atoms in diamond by time-of-flight secondary-ion mass spectrometry”, Tech. Phys. Lett., 44:4 (2018), 297–300 |
1
|
|
2017 |
| 12. |
М. Н. Дроздов, В. М. Данильцев, Ю. Н. Дроздов, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин, “Селективный анализ элементного состава нанокластеров InGaAs/GaAs методом вторично-ионной масс-спектрометрии”, Письма в ЖТФ, 43:10 (2017), 50–59 ; M. N. Drozdov, V. M. Daniltsev, Yu. N. Drozdov, O. I. Khrykin, P. A. Yunin, “Selective analysis of the elemental composition of InGaAs/GaAs nanoclusters by secondary ion mass spectrometry”, Tech. Phys. Lett., 43:5 (2017), 477–480 |
1
|
|
2016 |
| 13. |
П. А. Юнин, Ю. Н. Дроздов, В. В. Чернов, В. А. Исаев, С. А. Богданов, А. Б. Мучников, “Формирование сингулярных (001) террас на поверхности монокристаллических HPHT алмазных подложек”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1647–1651 ; P. A. Yunin, Yu. N. Drozdov, V. V. Chernov, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, A. B. Muchnikov, “Formation of singular (001) terraces on the surface of single-crystal HPHT diamond substrates”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1622–1625 |
3
|
| 14. |
В. М. Данильцев, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, Е. А. Суровегина, В. И. Шашкин, П. А. Юнин, “Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1459–1462 ; V. M. Daniltsev, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, E. A. Surovegina, V. I. Shashkin, P. A. Yunin, “Heavily doped GaAs:Te layers grown by MOVPE using diisopropyl telluride as a source”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1439–1442 |
3
|
| 15. |
М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, П. А. Юнин, П. И. Фоломин, А. Б. Гриценко, В. Л. Крюков, Е. В. Крюков, “Экстремально глубокий послойный анализ атомного состава толстых ($>$ 100 $\mu$m) слоев GaAs в составе мощных PIN-диодов методом вторично-ионной масс-спектрометрии”, Письма в ЖТФ, 42:15 (2016), 27–35 ; M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, P. A. Yunin, P. I. Folomin, A. B. Gritsenko, V. L. Kryukov, E. V. Kryukov, “Extremely deep profiling analysis of the atomic composition of thick ($>$ 100 $\mu$m) GaAs layers within power PIN diodes by secondary ion mass spectrometry”, Tech. Phys. Lett., 42:8 (2016), 783–787 |
| 16. |
М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, А. В. Новиков, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, “Нелинейные калибровочные зависимости в методе вторично-ионной масс-спектрометрии для количественного анализа гетероструктур GeSi с нанокластерами”, Письма в ЖТФ, 42:5 (2016), 40–48 ; M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, A. V. Novikov, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “Nonlinear calibration curves in secondary ion mass spectrometry for quantitative analysis of gesi heterostructures with nanoclusters”, Tech. Phys. Lett., 42:3 (2016), 243–247 |
2
|
|
2009 |
| 17. |
П. Г. Сенников, С. В. Голубев, В. И. Шашкин, Д. А. Пряхин, М. Н. Дроздов, Б. А. Андреев, Ю. Н. Дроздов, А. С. Кузнецов, Х.-Й. Поль, “Получение слоев нанокристаллического кремния методом стимулированного плазмой осаждения (PECVD) из газовой фазы тетрафторида кремния”, Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009), 80–83 ; P. G. Sennikov, S. V. Golubev, V. I. Shashkin, D. A. Pryakhin, M. N. Drozdov, B. A. Andreev, Yu. N. Drozdov, A. S. Kuznetsov, H. Pol, “Production of nanocrystalline silicon layers using the plasma enhanced chemical vapor deposition from the gas phase of silicon tetrafluoride”, JETP Letters, 89:2 (2009), 73–75   |
4
|
|
2002 |
| 18. |
Н. В. Востоков, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, А. Н. Яблонский, “Низкоэнергетическая фотолюминесценция структур с GeSi/Si(001) самоорганизующимися наноостровками”, Письма в ЖЭТФ, 76:6 (2002), 425–429 ; N. V. Vostokov, Yu. N. Drozdov, Z. F. Krasil'nik, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, A. N. Yablonskii, “Low-energy photoluminescence of structures with GeSi/Si(001) self-assembled nanoislands”, JETP Letters, 76:6 (2002), 365–369 |
24
|
|
1990 |
| 19. |
Л. К. Орлов, О. А. Кузнецов, Ю. Н. Дроздов, Р. А. Рубцова, Ю. А. Романов, А. Л. Чернов, “Энергетические диаграммы и электрические характеристики сверхрешеток Ge$-$Ge$_{1-x}$Si$_{x}$ с напряженными слоями”, Физика твердого тела, 32:7 (1990), 1933–1940 |
|
1987 |
| 20. |
Л. К. Орлов, О. А. Кузнецов, Ю. Н. Дроздов, “Спектры электроотражения света от поверхности сверхрешеток
Ge$-$Ge$_{1-x}$Si$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 1962–1967 |
|
1986 |
| 21. |
Л. К. Орлов, О. А. Кузнецов, Ю. Н. Дроздов, “Спектры электроотражения света от периодических структур
Ge$_{1-x_{1}}$Si$_{x_{1}}{-}$Ge$_{1-x_{2}}$Si$_{x_{2}}$ со сверхтонкими слоями”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 118–122 |
|
1980 |
| 22. |
В. А. Лебедев, Е. А. Солдатов, Ю. Н. Дроздов, Э. А. Кузьмин, В. В. Илюхин, Н. В. Белов, “Алгебраический метод построения суперпозиционных функций”, Докл. АН СССР, 251:2 (1980), 350–352 |
|
1979 |
| 23. |
Е. А. Солдатов, Ю. Н. Дроздов, В. В. Илюхин, Э. А. Кузьмин, Н. В. Белов, “К определению коэффициентов характеристического уравнения в задаче разделения искаженной шумами функции на сумму экспонент”, Докл. АН СССР, 248:6 (1979), 1341–1343 |
| 24. |
В. А. Лебедев, Ю. Н. Дроздов, Э. А. Кузьмин, А. В. Ганюшкин, В. А. Яблоков, Н. В. Белов, “Кристаллическая структура трифенил (трифенилгермилперокси) силана
$(\mathrm{C}_6\mathrm{H}_5)_3\mathrm{GeOOSi}(\mathrm{C}_6\mathrm{H}_5)_3$”, Докл. АН СССР, 246:3 (1979), 601–605 |
|
1978 |
| 25. |
Е. А. Солдатов, В. А. Лебедев, Ю. Н. Дроздов, Э. А. Кузьмин, В. В. Илюхин, Н. В. Белов, “Новый метод построения векторных систем кристаллов без расчета рядов Фурье”, Докл. АН СССР, 242:2 (1978), 344–346 |
| 26. |
Е. Н. Солдатов, Т. Б. Воротилина, Ю. Н. Дроздов, В. В. Илюхин, Э. А. Кузьмин, И. В. Тананаев, “О кристаллической структуре моноаквапентафторогаллата аммония
$(\mathrm{NH}_4)_2\mathrm{GaF}_5\cdot\mathrm{H}_2\mathrm{O}$”, Докл. АН СССР, 241:2 (1978), 357–359 |
|
1975 |
| 27. |
Е. А. Солдатов, Ю. Н. Дроздов, Э. А. Кузьмин, Н. В. Белов, “К вопросу о решении интегрального уравнения Патерсона (для идеального случая непериодической электронной плотности)”, Докл. АН СССР, 225:1 (1975), 91–93 |
| 28. |
Э. А. Кузьмин, Ю. Н. Дроздов, В. В. Илюхин, Н. В. Белов, “Аналитическое представление алгоритма отыскания линеек и параллелограммов взаимодействия в функции Патерсона”, Докл. АН СССР, 220:6 (1975), 1312–1315 |
| 29. |
Э. А. Кузьмин, Ю. Н. Дроздов, В. В. Илюхин, Н. В. Белов, “Новое (аналитическое) представление процесса расшифровки функции Патерсона по функциям выделения”, Докл. АН СССР, 220:3 (1975), 588–591 |
|
1974 |
| 30. |
Ю. Н. Дроздов, Э. А. Кузьмин, В. В. Илюхин, Н. В. Белов, “Расшифровка кристаллической структуры
$\mathrm{Na}_{11}\mathrm{Nb}_2\mathrm{Ti}[\mathrm{Si}_2\mathrm{O}_7]_2
[\mathrm{PO}_4]_2\mathrm{O}_3\mathrm{F}$ методом векторных подсистем”, Докл. АН СССР, 217:3 (1974), 569–572 |
| 31. |
Ю. Н. Дроздов, Н. Г. Баталиева, А. А. Воронков, Э. А. Кузьмин, “Кристаллическая структура $\mathrm{Na}_{11}\mathrm{Nb}_2\mathrm{TiSi}_4\mathrm{P}_2\mathrm{O}_{25}\mathrm{F}$”, Докл. АН СССР, 216:1 (1974), 78–81 |
|
1973 |
| 32. |
Ю. Н. Дроздов, Э. А. Кузьмин, Н. В. Белов, “Кристаллическая структура ванадата серебра $\mathrm{Ag}_{2-x}\mathrm{V}_4\mathrm{O}_{10}$ ($x=0,57$)”, Докл. АН СССР, 210:2 (1973), 339–341 |
| 33. |
Э. А. Кузьмин, Ю. Н. Дроздов, В. В. Илюхин, Н. В. Белов, “Анализ патерсоновской функции. Векторные подсистемы, отвечающие нескольким кратным
пикам (совокупностям изолированных отрезков)”, Докл. АН СССР, 209:2 (1973), 344–347 |
|
1970 |
| 34. |
В. П. Головачев, Ю. Н. Дроздов, Э. А. Кузьмин, Н. В. Белов, “Кристаллическая структура фенаксита $\mathrm{FeNaK}[\mathrm{Si}_4\mathrm{O}_{10}]$
($\mathrm{KNaFe}[\mathrm{Si}_4\mathrm{O}_{10}]$)”, Докл. АН СССР, 194:4 (1970), 818–820 |
|
Обратная связь: