|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Д. В. Гуляев, Д. В. Дмитриев, Н. В. Фатеев, Д. Ю. Протасов, А. С. Кожухов, К. С. Журавлев, “GaAs/AlGaAs- и InGaAs/AlGaAs-гетероструктуры для мощных полупроводниковых инфракрасных излучателей”, ЖТФ, 91:11 (2021), 1727–1731   |
| 2. |
К. С. Журавлев, А. М. Гилинский, И. Б. Чистохин, Н. А. Валишева, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, М. С. Аксенов, А. Л. Чиж, К. Б. Микитчук, “Мощные СВЧ-фотодиоды на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs, синтезируемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, ЖТФ, 91:7 (2021), 1158–1163 ; K. S. Zhuravlev, A. M. Gilinskii, I. B. Chistokhin, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, M. S. Aksenov, A. L. Chizh, K. B. Mikitchuk, “High-power microwave photodiodes based on MBE-grown InAlAs/InGaAs heterostructures”, Tech. Phys., 66:9 (2021), 1072–1077  |
4
|
| 3. |
Д. В. Дмитриев, Д. А. Колосовский, Е. В. Федосенко, А. И. Торопов, К. С. Журавлев, “Замещение фосфора на поверхности InP(001) при отжиге в потоке мышьяка”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 877–881 ; D. V. Dmitriev, D. A. Kolosovsky, E. V. Fedosenko, A. I. Toropov, K. S. Zhuravlev, “Substitution of phosphorus at the InP(001) surface upon annealing in an arsenic flux”, Semiconductors, 55:11 (2021), 823–837 |
5
|
|
2020 |
| 4. |
А. П. Ковчавцев, М. С. Аксенов, A. Е. Настовьяк, Н. А. Валишева, Д. В. Горшков, Г. Ю. Сидоров, Д. В. Дмитриев, “Исследование плотности интерфейсных состояний на границах раздела диэлектрик/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As”, Письма в ЖТФ, 46:10 (2020), 10–13 ; A. P. Kovchavtsev, M. S. Aksenov, A. E. Nastovjak, N. A. Valisheva, D. V. Gorshkov, G. Yu. Sidorov, D. V. Dmitriev, “Study of the density of interface states at the insulator/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As interface”, Tech. Phys. Lett., 46:5 (2020), 469–472 |
|
2019 |
| 5. |
И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, M. von Helversen, C. de la Haye, S. Bounouar, S. Reitzenstein, “Неклассические источники света на основе селективно позиционированных микролинзовых структур и (111) In(Ga)As квантовых точек”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1338–1342 ; I. A. Derebezov, V. A. Gaisler, A. V. Gaisler, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, M. von Helversen, C. de la Haye, S. Bounouar, S. Reitzenstein, “Non-classical light sources based on selectively positioned deterministic microlenses structures and (111) In(Ga)As quantum dots”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1304–1307 |
1
|
| 6. |
А. Л. Чиж, К. Б. Микитчук, К. С. Журавлев, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, Н. А. Валишева, М. С. Аксенов, А. М. Гилинский, И. Б. Чистохин, “Мощные высокоскоростные фотодиоды Шоттки для аналоговых волоконно-оптических линий передачи СВЧ-сигналов”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019), 52–54 ; A. L. Chizh, K. B. Mikitchuk, K. S. Zhuravlev, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, N. A. Valisheva, M. S. Aksenov, A. M. Gilinskii, I. B. Chistokhin, “High-power high-speed Schottky photodiodes for analog fiber-optic microwave signal transmission lines”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 739–741 |
11
|
| 7. |
И. Б. Чистохин, М. С. Аксенов, Н. А. Валишева, Д. В. Дмитриев, И. В. Марчишин, А. И. Торопов, К. С. Журавлев, “Влияние морфологии поверхности слоев InAlAs на температурные зависимости параметров диодов Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs (001)”, Письма в ЖТФ, 45:4 (2019), 59–62 ; I. B. Chistokhin, M. S. Aksenov, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, I. V. Marchishin, A. I. Toropov, K. S. Zhuravlev, “The influence of the InAlAs layer surface morphology on the temperature dependence of parameters of Au/Ti/$n$-InAlAs (001) Schottky diodes”, Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 180–184 |
2
|
|
2018 |
| 8. |
И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, M. Von Helversen, C. De la Haye, S. Bounouar, S. Reitzenstein, “Спектроскопия одиночных AlInAs- и (111)InGaAs-квантовых точек”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1326–1330 ; I. A. Derebezov, V. A. Gaisler, A. V. Gaisler, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, M. Von Helversen, C. De la Haye, S. Bounouar, S. Reitzenstein, “Spectroscopy of single AlInAs and (111)-oriented InGaAs quantum dots”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1437–1441 |
1
|
|
2017 |
| 9. |
А. В. Гайслер, И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, А. С. Кожухов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. Л. Асеев, “Квантовые точки AlInAs”, Письма в ЖЭТФ, 105:2 (2017), 93–99 ; A. V. Gaisler, I. A. Derebezov, V. A. Gaisler, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, A. S. Kozhukhov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, A. L. Aseev, “AlInAs quantum dots”, JETP Letters, 105:2 (2017), 103–109  |
5
|
| 10. |
И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, S. Fischbach, A. Schlehahn, A. Kaganskiy, T. Heindel, S. Bounouar, S. Rodt, S. Reitzenstein, “Сверхминиатюрные излучатели на основе одиночной (111) In(Ga)As квантовой точки и гибридного микрорезонатора”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1451–1455 ; I. A. Derebezov, V. A. Gaisler, A. V. Gaisler, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, S. Fischbach, A. Schlehahn, A. Kaganskiy, T. Heindel, S. Bounouar, S. Rodt, S. Reitzenstein, “Subminiature emitters based on a single (111) In(Ga)As quantum dot and hybrid microcavity”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1399–1402 |
| 11. |
И. Б. Чистохин, М. С. Аксенов, Н. А. Валишева, Д. В. Дмитриев, К. С. Журавлев, А. А. Гузев, “Особенности протекания тока в структурах на основе барьера Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs”, Письма в ЖТФ, 43:12 (2017), 83–89 ; I. B. Chistokhin, M. S. Aksenov, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, K. S. Zhuravlev, A. A. Guzev, “Features of current flow in structures based on Au/Ti/$n$-InAlAs Schottky barriers”, Tech. Phys. Lett., 43:6 (2017), 581–583 |
|
2014 |
| 12. |
А. А. Лямкина, С. П. Мощенко, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, Т. С. Шамирзаев, “Экситон-плазмонное взаимодействие в гибридных структурах квантовые
точки–металлические кластеры, полученных методом МЛЭ”, Письма в ЖЭТФ, 99:4 (2014), 245–249 ; A. A. Lyamkina, S. P. Moshchenko, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, T. S. Shamirzaev, “Exciton-plasmon interaction in hybrid quantum dot/metal cluster structures fabricated by molecular-beam epitaxy”, JETP Letters, 99:4 (2014), 219–223 |
7
|
|
2013 |
| 13. |
З. Д. Квон, Д. А. Козлов, С. Н. Данилов, К. Цот, П. Вирлинг, С. Стэчел, В. В. Бельков, А. К. Бакаров, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, С. Д. Ганичев, “Индуцированные терагерцовым излучением осцилляции магнитосопротивления
двумерного электронного газа с высокой концентрацией и подвижностью”, Письма в ЖЭТФ, 97:1 (2013), 45–48 ; Z. D. Kvon, D. A. Kozlov, S. N. Danilov, C. Zoth, P. Vierling, S. Stachel, V. V. Bel'kov, A. K. Bakarov, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, S. D. Ganichev, “Terahertz radiation-induced magnetoresistance oscillations of a high-density and high-mobility two-dimensional electron gas”, JETP Letters, 97:1 (2013), 41–44 |
16
|
|
2012 |
| 14. |
Д. В. Дмитриев, И. С. Стрыгин, А. А. Быков, С. Дитрих, С. А. Виткалов, “Транспортное время релаксации и квантовое время жизни в
селективно-легированных гетероструктурах GaAs/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 95:8 (2012), 467–471 ; D. V. Dmitriev, I. S. Strygin, A. A. Bykov, S. Dietrich, S. A. Vitkalov, “Transport relaxation time and quantum lifetime in selectively doped GaAs/AlAs heterostructures”, JETP Letters, 95:8 (2012), 420–423 |
23
|
|
2011 |
| 15. |
Т. С. Шамирзаев, Д. В. Дмитриев, Л. Л. Свешникова, П. Тронк, “Безызлучательный перенос экситонов по механизму Фёрстера
в гибридных
структурах КТ InAs/AlAs – молекулы красителя”, Письма в ЖЭТФ, 94:10 (2011), 828–831 ; T. S. Shamirzaev, D. V. Dmitriev, L. L. Sveshnikova, P. Tronc, “Nonradiative exciton transfer by the Förster mechanism from InAs/AlAs quantum dots to dye molecules in hybrid structures”, JETP Letters, 94:10 (2011), 764–767 |
4
|
| 16. |
О. Е. Терещенко, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, С. В. Еремеев, С. Е. Кулькова, “Сурфактантные свойства цезия в молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs(100)”, Письма в ЖЭТФ, 93:10 (2011), 647–652 ; O. E. Tereshchenko, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, S. V. Eremeev, S. E. Kul'kova, “Surfactant properties of cesium in molecular beam epitaxy of GaAs(100)”, JETP Letters, 93:10 (2011), 585–590 |
|
2007 |
| 17. |
Ю. Г. Галицын, Д. В. Дмитриев, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов, “Роль латерального взаимодействия в гомоэпитаксии GaAs на поверхности (001)-$\beta(2\times 4)$”, Письма в ЖЭТФ, 86:7 (2007), 553–557 ; Yu. G. Galitsyn, D. V. Dmitriev, V. G. Mansurov, S. P. Moshchenko, A. I. Toropov, “Role of lateral interaction in the homoepitaxy of GaAs on the (001)-$\beta(2\times 4)$ surface”, JETP Letters, 86:7 (2007), 482–486 |
9
|
|
2006 |
| 18. |
Ю. Г. Галицын, Д. В. Дмитриев, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов, “Асимметричный реконструкционный фазовый переход $c(4\times4)\to\gamma(2\times4)$ на поверхности (001) GaAs”, Письма в ЖЭТФ, 84:9 (2006), 596–600 ; Yu. G. Galitsyn, D. V. Dmitriev, V. G. Mansurov, S. P. Moshchenko, A. I. Toropov, “Asymmetric c(4×4) → γ(2×4) reconstruction phase transition on the (001)GaAs surface”, JETP Letters, 84:9 (2006), 505–508 |
9
|
|
2005 |
| 19. |
Ю. Г. Галицын, Д. В. Дмитриев, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов, “Критические явления в реконструкционном переходе $\beta$-$(2\times 4)$ $\to$ $\alpha$-$(2\times4)$ на поверхности (001) GaAs”, Письма в ЖЭТФ, 81:12 (2005), 766–770 ; Yu. G. Galitsyn, D. V. Dmitriev, V. G. Mansurov, S. P. Moshchenko, A. I. Toropov, “Critical phenomena in the β-(2×4) → α-(2×4) reconstruction transition on the (001) GaAs surface”, JETP Letters, 81:12 (2005), 629–633 |
12
|
|
Обратная связь: