Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2012, том 95, выпуск 8, страницы 467–471 (Mi jetpl2538)  
Эта публикация цитируется в 23 научных статьях (всего в 23 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Транспортное время релаксации и квантовое время жизни в селективно-легированных гетероструктурах GaAs/AlAs

Д. В. Дмитриевa, И. С. Стрыгинab, А. А. Быковca, С. Дитрихd, С. А. Виткаловd

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Новосибирский государственный технический университет
d City College of the City University of New York, Physics Department
PDF полного текста (291 kB) Список цитирования (23)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Исследованы низкотемпературные зависимости транспортного времени релаксации ($\tau_{tr}$) и квантового времени жизни ($\tau_{q}$) от концентрации двумерного электронного газа ($n_{e}$) в квантовых ямах GaAs с боковыми сверхрешеточными барьерами AlAs/GaAs. Обнаружено экспоненциальное возрастание квантового времени жизни с увеличением электронной концентрации. Показано, что резкое увеличение квантового времени жизни коррелирует с появлением Х-электронов в боковых сверхрешеточных барьерах AlAs/GaAs. Установлено, что в исследуемых структурах отношение транспортного времени релаксации к квантовому времени жизни зависит от концентрации немонотонно: вначале с ростом $n_e$ отношение $\tau_{tr}/\tau_{q}$ линейно увеличивается, а затем падает. Обнаруженное поведение не описывается существующими теориями.
Поступила в редакцию: 15.03.2012
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2012, Volume 95, Issue 8, Pages 420–423
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364012080048
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. В. Дмитриев, И. С. Стрыгин, А. А. Быков, С. Дитрих, С. А. Виткалов, “Транспортное время релаксации и квантовое время жизни в селективно-легированных гетероструктурах GaAs/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 95:8 (2012), 467–471; JETP Letters, 95:8 (2012), 420–423
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DmiStrByk12}
\by Д.~В.~Дмитриев, И.~С.~Стрыгин, А.~А.~Быков, С.~Дитрих, С.~А.~Виткалов
\paper Транспортное время релаксации и квантовое время жизни в
селективно-легированных гетероструктурах GaAs/AlAs
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2012
\vol 95
\issue 8
\pages 467--471
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl2538}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=17770525}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2012
\vol 95
\issue 8
\pages 420--423
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364012080048}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000305738600007}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20472639}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84863101653}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2538
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v95/i8/p467
    • Эта публикация цитируется в следующих 23 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024