Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 10, страницы 1338–1342
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48286.32 (Mi phts5375) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Неклассические источники света на основе селективно позиционированных микролинзовых структур и (111) In(Ga)As квантовых точек

И. А. Деребезовab, В. А. Гайслерac, А. В. Гайслерa, Д. В. Дмитриевa, А. И. Тороповa, M. von Helversend, C. de la Hayed, S. Bounouard, S. Reitzensteind

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики, г. Новосибирск
c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
d Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Berlin, Federal Republic of Germany
PDF полного текста (159 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48286.32
Аннотация: Представлены результаты исследования оптических характеристик неклассических источников света на основе селективно-позиционированных микролинзовых структур и одиночных (111) In(Ga)As-квантовых точек, выращенных на подложке (111)B GaAs. Однофотонный характер излучения подтвержден измерением и анализом корреляционной функции второго порядка $g^{(2)}(\tau)$; $g^{(2)}(0)$ = 0.07. Исследована тонкая структура экситонных состояний (111) In(Ga)As-квантовых точек. Показано, что в интервале энергий 1.320–1.345 эВ величина расщепления экситонных состояний сравнима с естественной шириной экситонных линий, что представляет интерес для разработки излучателей фотонных пар на их основе.
Ключевые слова: квантовые точки, источники одиночных фотонов, источники фотонных пар, тонкая структура экситонных состояний.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-52-12023
Работа выполнена при поддержке РФФИ, грант № 16-52-12023.
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 10, Pages 1304–1307
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619100063
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, M. von Helversen, C. de la Haye, S. Bounouar, S. Reitzenstein, “Неклассические источники света на основе селективно позиционированных микролинзовых структур и (111) In(Ga)As квантовых точек”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1338–1342; Semiconductors, 53:10 (2019), 1304–1307
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DerGaiGai19}
\by И.~А.~Деребезов, В.~А.~Гайслер, А.~В.~Гайслер, Д.~В.~Дмитриев, А.~И.~Торопов, M.~von Helversen, C.~de la Haye, S.~Bounouar, S.~Reitzenstein
\paper Неклассические источники света на основе селективно позиционированных микролинзовых структур и (111) In(Ga)As квантовых точек
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 10
\pages 1338--1342
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5375}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48286.32}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41174853}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 10
\pages 1304--1307
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619100063}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5375
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i10/p1338
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:52
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024