Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1326–1330
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46593.15 (Mi phts5690) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Спектроскопия одиночных AlInAs- и (111)InGaAs-квантовых точек

И. А. Деребезовab, В. А. Гайслерa, А. В. Гайслерa, Д. В. Дмитриевa, А. И. Тороповa, M. Von Helversenc, C. De la Hayec, S. Bounouarc, S. Reitzensteinc

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики, г. Новосибирск
c Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik Eugene-Wigner-Gebäude, D-10623 Berlin, Federal Republic of Germany
PDF полного текста (509 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46593.15
Аннотация: Исследована система квантовых точек на основе AlInAs и (111)InGaAs. Использование широкозонных твердых растворов Al$_{x}$In$_{1-x}$As в качестве основы квантовых точек позволило существенно расширить спектральный диапазон излучения в коротковолновую область, включая участок длин волн вблизи 770 нм, представляющий интерес для разработки аэрокосмических систем квантовой криптографии. Исследована тонкая структура экситонных состояний AlInAs- и (111)InGaAs-квантовых точек. Показано, что для набора квантовых точек расщепление экситонных состояний сравнимо с естественной шириной экситонных линий, что представляет интерес для разработки излучателей фотонных пар на их основе.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-52-12023
Работа выполнена при частичной поддержке РФФИ, грант № 16-52-12023.
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 11, Pages 1437–1441
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618110064
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, M. Von Helversen, C. De la Haye, S. Bounouar, S. Reitzenstein, “Спектроскопия одиночных AlInAs- и (111)InGaAs-квантовых точек”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1326–1330; Semiconductors, 52:11 (2018), 1437–1441
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DerGaiGai18}
\by И.~А.~Деребезов, В.~А.~Гайслер, А.~В.~Гайслер, Д.~В.~Дмитриев, А.~И.~Торопов, M.~Von Helversen, C.~De la Haye, S.~Bounouar, S.~Reitzenstein
\paper Спектроскопия одиночных AlInAs- и (111)InGaAs-квантовых точек
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1326--1330
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5690}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46593.15}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903608}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1437--1441
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618110064}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5690
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i11/p1326
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:47
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024