Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 4, страницы 59–62
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.04.47342.17609 (Mi pjtf5539) 		 
Влияние морфологии поверхности слоев InAlAs на температурные зависимости параметров диодов Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs (001)

И. Б. Чистохинa, М. С. Аксеновab, Н. А. Валишеваa, Д. В. Дмитриевa, И. В. Марчишинa, А. И. Тороповa, К. С. Журавлевab

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
PDF полного текста (714 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.04.47342.17609
Аннотация: Изучено влияние ростовых структурных дефектов поверхности слоев InAlAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках InP (001), на температурные зависимости вольт-амперных характеристик барьеров Шоттки Au/Ti/InAlAs. Показано, что дефекты в виде ямок являются причиной возникновения областей с пониженной высотой барьера, которые при плотности $\ge$ 10$^{7}$ cm$^{-2}$ оказывают существенное влияние на параметры барьера Шоттки при температурах ниже 200 K.
Поступила в редакцию: 27.11.2018
Исправленный вариант: 27.11.2018
Принята в печать: 30.11.2018
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 2, Pages 180–184
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378501902024X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. Б. Чистохин, М. С. Аксенов, Н. А. Валишева, Д. В. Дмитриев, И. В. Марчишин, А. И. Торопов, К. С. Журавлев, “Влияние морфологии поверхности слоев InAlAs на температурные зависимости параметров диодов Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs (001)”, Письма в ЖТФ, 45:4 (2019), 59–62; Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 180–184
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ChiAksVal19}
\by И.~Б.~Чистохин, М.~С.~Аксенов, Н.~А.~Валишева, Д.~В.~Дмитриев, И.~В.~Марчишин, А.~И.~Торопов, К.~С.~Журавлев
\paper Влияние морфологии поверхности слоев InAlAs на температурные зависимости параметров диодов Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs (001)
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 4
\pages 59--62
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5539}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.04.47342.17609}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37481335}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 2
\pages 180--184
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378501902024X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5539
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i4/p59
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:31
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024