|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2006, том 84, выпуск 9, страницы 596–600
(Mi jetpl1180)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Асимметричный реконструкционный фазовый переход $c(4\times4)\to\gamma(2\times4)$ на поверхности (001) GaAs
Ю. Г. Галицын, Д. В. Дмитриев, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН
Аннотация:
Экспериментально исследован фазовый реконструкционный переход $c(4\times4)\to\gamma(2\times4)$ на поверхности (001)GaAs. Показано, что фазовый переход является переходом первого рода. Обнаружена сильная асимметрия гистерезиса фазового перехода. В рамках теории среднего поля фазового перехода, индуцированного адсорбцией, различия прямого и обратного хода гистерезиса объяснены существенным вкладом латерального многочастичного взаимодействия в адсорбате.
Поступила в редакцию: 26.09.2006
Образец цитирования:
Ю. Г. Галицын, Д. В. Дмитриев, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов, “Асимметричный реконструкционный фазовый переход $c(4\times4)\to\gamma(2\times4)$ на поверхности (001) GaAs”, Письма в ЖЭТФ, 84:9 (2006), 596–600; JETP Letters, 84:9 (2006), 505–508
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1180 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v84/i9/p596
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 180 | PDF полного текста: | 60 | Список литературы: | 45 |
|