Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2007, том 86, выпуск 7, страницы 553–557 (Mi jetpl883)  
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Роль латерального взаимодействия в гомоэпитаксии GaAs на поверхности (001)-$\beta(2\times 4)$

Ю. Г. Галицын, Д. В. Дмитриев, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов

Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН
PDF полного текста (775 kB) Список цитирования (9)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Гомоэпитаксия GaAs в молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности (001)-$\beta(2\times4)$ рассматривается как двумерный фазовый переход первого рода от решеточного газа адсорбированных ростовых компонентов к двумерной кристаллической фазе. В рамках теории среднего поля фазового перехода определены параметры латерального взаимодействия между заполненными ячейками решеточного газа. Выявлены причины завершения роста полного монослоя (самоупорядочения), прежде чем начнется рост нового монослоя. Осцилляционные эксперименты подтверждают выводы предлагаемой теории фазового перехода в гомоэпитаксии.
Поступила в редакцию: 22.08.2007
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2007, Volume 86, Issue 7, Pages 482–486
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364007190125
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 64.60.-i, 68.35.Bs
Образец цитирования: Ю. Г. Галицын, Д. В. Дмитриев, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов, “Роль латерального взаимодействия в гомоэпитаксии GaAs на поверхности (001)-$\beta(2\times 4)$”, Письма в ЖЭТФ, 86:7 (2007), 553–557; JETP Letters, 86:7 (2007), 482–486
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GalDmiMan07}
\by Ю.~Г.~Галицын, Д.~В.~Дмитриев, В.~Г.~Мансуров, С.~П.~Мощенко, А.~И.~Торопов
\paper Роль латерального взаимодействия в гомоэпитаксии GaAs на поверхности (001)-$\beta(2\times 4)$
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2007
\vol 86
\issue 7
\pages 553--557
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl883}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2007
\vol 86
\issue 7
\pages 482--486
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364007190125}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000251843800012}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-37549060301}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl883
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v86/i7/p553
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:246
    PDF полного текста:93
    Список литературы:47
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024