Критические явления в реконструкционном переходе $\beta$-$(2\times 4)$ $\to$ $\alpha$-$(2\times4)$ на поверхности (001) GaAs

Экспериментально определены критические индексы фазового реконструкционного перехода $\beta$-$(2\times 4)$ $\to$ $\alpha$-${(2\times4)}$ на поверхности (001) GaAs. Обнаружено, что фазовый переход (ФП) аналогичен переходу Ван-дер-Ваальса. Экспериментально измерены критические величины $T_c$, $P_c$, $\Theta_c$. Применена теория среднего поля, получены трехпараметрические изотермы, согласующиеся с экспериментальными результатами при следующих величинах параметров: $E_{st}=0.36\,$эВ, $\Delta E=0.18\,$эВ и $E_i=0.134\,$эВ. Проведены прецизионные измерения критических показателей $\beta$ и $\delta$. Их значения $\beta=1/8$ и $\delta=15$ указывают, что ФП является истинно двумерным.