|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
В. А. Володин, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, М. Штоффель, Э. Риннерт, М. Вернья, “Колебательные и светоизлучающие свойства гетероструктур Si/Si$_{(1-x)}$Sn$_x$”, Письма в ЖЭТФ, 109:6 (2019), 371–374   ; V. A. Volodin, V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, “Vibrational and light-emitting properties of Si/Si$_{1-x}$Sn$_x$ heterostructures”, JETP Letters, 109:6 (2019), 368–371   |
1
|
|
2018 |
| 2. |
М. Ю. Есин, А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, А. Р. Туктамышев, В. И. Машанов, И. Д. Лошкарев, А. С. Дерябин, О. П. Пчеляков, “Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 409–413 ; M. Yu. Yesin, A. I. Nikiforov, V. A. Timofeev, A. R. Tuktamyshev, V. I. Mashanov, I. D. Loshkarev, A. S. Deryabin, O. P. Pchelyakov, “Formation of a stepped Si(100) surface and its effect on the growth of Ge islands”, Semiconductors, 52:3 (2018), 390–393 |
|
2017 |
| 3. |
В. А. Володин, В. А. Тимофеев, А. Р. Туктамышев, А. И. Никифоров, “Расщепление частот оптических фононов в растянутых слоях германия”, Письма в ЖЭТФ, 105:5 (2017), 305–310 ; V. A. Volodin, V. A. Timofeev, A. R. Tuktamyshev, A. I. Nikiforov, “Splitting of frequencies of optical phonons in tensile-strained germanium layers”, JETP Letters, 105:5 (2017), 327–331 |
16
|
| 4. |
А. А. Блошкин, А. И. Якимов, В. А. Тимофеев, А. Р. Туктамышев, А. И. Никифоров, В. В. Мурашов, “Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 342–347 ; A. A. Bloshkin, A. I. Yakimov, V. A. Timofeev, A. R. Tuktamyshev, A. I. Nikiforov, V. V. Murashov, “Valence-band offsets in strained SiGeSn/Si layers with different tin contents”, Semiconductors, 51:3 (2017), 329–334 |
2
|
|
2016 |
| 5. |
А. Ф. Зиновьева, В. А. Зиновьев, А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, А. В. Мудрый, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, “Усиление фотолюминесценции в гетероструктурах Ge/Si с двойными квантовыми точками”, Письма в ЖЭТФ, 104:12 (2016), 845–848 ; A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, A. I. Nikiforov, V. A. Timofeev, A. V. Mudryi, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, “Photoluminescence enhancement in double Ge/Si quantum dot structures”, JETP Letters, 104:12 (2016), 823–826 |
13
|
| 6. |
В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. Р. Туктамышев, М. Ю. Есин, В. И. Машанов, А. К. Гутаковский, Н. А. Байдакова, “Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1610–1614 ; V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, A. R. Tuktamyshev, M. Yu. Yesin, V. I. Mashanov, A. K. Gutakovskii, N. A. Baidakova, “Strained multilayer structures with pseudomorphic GeSiSn layers”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1584–1588 |
5
|
|
2013 |
| 7. |
А. И. Якимов, В. В. Кириенко, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, “Внутризонные оптические переходы дырок в напряженных квантовых ямах
SiGe”, Письма в ЖЭТФ, 97:3 (2013), 180–184 ; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, “Intraband optical transitions of holes in strained SiGe quantum wells”, JETP Letters, 97:3 (2013), 159–162 |
3
|
|
2011 |
| 8. |
А. И. Якимов, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. В. Двуреченский, “Антисвязывающее основное состояние дырок в двойных вертикально
связанных квантовых точках Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 94:10 (2011), 806–810 ; A. I. Yakimov, V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, A. V. Dvurechenskii, “Antibonding ground state of holes in double vertically coupled Ge/Si quantum dots”, JETP Letters, 94:10 (2011), 744–747 |
9
|
|
2007 |
| 9. |
А. И. Якимов, А. И. Никифоров, А. В. Двуреченский, “Связывающее состояние дырки в двойных квантовых точках Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 86:7 (2007), 549–552 ; A. I. Yakimov, A. I. Nikiforov, A. V. Dvurechenskii, “Bonding state of a hole in Ge/Si double quantum dots”, JETP Letters, 86:7 (2007), 478–481 |
6
|
|
2005 |
| 10. |
Д. А. Орехов, В. А. Володин, М. Д. Ефремов, А. И. Никифоров, В. В. Ульянов, О. П. Пчеляков, “Проявление локализации фононов в наноостровках Ge в спектрах комбинационного рассеяния света”, Письма в ЖЭТФ, 81:7 (2005), 415–418 ; D. A. Orekhov, V. A. Volodin, M. D. Efremov, A. I. Nikiforov, V. V. Ul'yanov, O. P. Pchelyakov, “Phonon localization in Ge nanoislands and its manifestation in Raman spectra”, JETP Letters, 81:7 (2005), 331–334 |
8
|
| 11. |
А. Г. Милехин, А. И. Никифоров, О. П. Пчеляков, А. Г. Родригес, Ж. К. Гальзерани, Д. Р. Т. Цан, “Резонансное комбинационное рассеяние света в сверхрешетках GeSi/Si с квантовыми точками GeSi”, Письма в ЖЭТФ, 81:1 (2005), 33–36 ; A. G. Milekhin, A. I. Nikiforov, O. P. Pchelyakov, A. G. Rodrigues, J. C. Galzerani, D. R. T. Zahn, “Resonant Raman scattering in GeSi/Si superlattices with GeSi quantum dots”, JETP Letters, 81:1 (2005), 30–33 |
15
|
|
2004 |
| 12. |
А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, Г. Ю. Михалев, “Правило Мейера – Нельделя в процессах термоэмиссии и захвата дырок в квантовых точках Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 80:5 (2004), 367–371 ; A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, G. Yu. Mikhalev, “The Meyer – Neldel rule in the processes of thermal emission and hole capture in Ge/Si quantum dots”, JETP Letters, 80:5 (2004), 321–325 |
9
|
|
2003 |
| 13. |
Н. П. Степина, А. И. Якимов, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, “Прыжковая фотопроводимость и ее долговременная кинетика в гетеросистеме с квантовыми точками Ge в Si”, Письма в ЖЭТФ, 78:9 (2003), 1077–1081 ; N. P. Stepina, A. I. Yakimov, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, “Hopping photoconduction and its long-time kinetics in a heterosystem with Ge quantum dots in Si”, JETP Letters, 78:9 (2003), 587–591 |
2
|
| 14. |
А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, А. А. Блошкин, “Бесфононная прыжковая проводимость в двумерных слоях квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 77:7 (2003), 445–449 ; A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, A. A. Bloshkin, “Phononless hopping conduction in two-dimensional layers of quantum dots”, JETP Letters, 77:7 (2003), 376–380 |
30
|
|
2002 |
| 15. |
А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, С. В. Чайковский, “Высота барьера и туннельный ток в диодах Шоттки со встроенными слоями квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 75:2 (2002), 113–117 ; A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, S. V. Chaikovskii, “Barrier height and tunneling current in Schottky diodes with embedded layers of quantum dots”, JETP Letters, 75:2 (2002), 102–106 |
4
|
|
2001 |
| 16. |
А. Г. Милёхин, А. И. Никифоров, О. П. Пчеляков, С. Шульце, Д. Р. Т. Цан, “Фононы в сверхрешетках Ge/Si с квантовыми точками Ge”, Письма в ЖЭТФ, 73:9 (2001), 521–525 ; A. G. Milekhin, A. I. Nikiforov, O. P. Pchelyakov, Sh. Shul'tse, D. R. T. Tsan, “Phonons in Ge/Si superlattices with Ge quantum dots”, JETP Letters, 73:9 (2001), 461–464 |
15
|
|
Обратная связь: