Фононы в сверхрешетках Ge/Si с квантовыми точками Ge

Сверхрешетки Ge/Si с квантовыми точками Ge, полученные с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии, были исследованы методом комбинационного рассеяния света в резонансных условиях. Показано, что такие структуры обладают колебательными свойствами как двумерных, так и нуль-мерных объектов. В низкочастотной области спектра наблюдаются свернутые акустические фононы (вплоть до 15-го порядка), характерные для планарных сверхрешеток. Линии акустических фононов перекрываются с широкой полосой непрерывной эмиссии, обусловленной нарушением закона сохранения волновых векторов вследствие формирования квантовых точек. Анализ частот оптических фононов Ge и Ge-Si свидетельствует, что квантовые точки Ge являются псевдоморфными и перемешивание атомов Ge и Si мало. Обнаружен низкочастотный сдвиг продольных оптических фононов при увеличении энергии возбуждения лазера ($2.54$ – $2.71$ эВ) вследствие эффекта локализации оптических фононов в квантовых точках малого размера, доминирующих в процессе рассеяния при резонансных условиях.