Резонансное комбинационное рассеяние света в сверхрешетках GeSi/Si с квантовыми точками GeSi

Изучено резонансное комбинационное рассеяние света в структурах GeSi/Si с квантовыми точками GeSi, сформированными при различной температуре в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что в спектрах комбинационного рассеяния, записанных вблизи резонансов с электронными переходами $E_0$ и $E_1$ в квантовых точках, наблюдаются линии оптических фононов Ge, частоты которых существенно отличаются от соответствующего значения в объемном Ge. При низкой температуре роста структур ($300\div 400^\circ$C) частота фононов уменьшается с ростом энергии возбуждения, что обусловлено комбинационным рассеянием, селективным по размеру квантовых точек, и свидетельствует о неоднородности размера квантовых точек. При повышенной температуре роста ($500^\circ$C) обнаружено противоположное поведение зависимости частоты фононов Ge от энергии возбуждения, что объясняется конкурирующим влиянием встроенных механических напряжений в квантовых точках, эффекта локализации оптических фононов и перемешивания атомов Ge и Si в структурах с двумодовым распределением квантовых точек по размеру.