|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Р. В. Левин, А. С. Власов, Б. В. Пушный, “Легированный кремнием GaSb, выращенный методом ГФЭМОС в широком диапазоне соотношений V/III”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 932–936   ; R. V. Levin, A. S. Vlasov, B. V. Pushnii, “Silicon-doped GaSb grown by MOVPE in a wide range of the V/III ratio”, Semiconductors, 55:11 (2021), 850–854 |
|
2020 |
| 2. |
Р. В. Левин, И. В. Федоров, А. С. Власов, П. Н. Брунков, Б. В. Пушный, “Выглаживание поверхности антимонида галлия”, Письма в ЖТФ, 46:23 (2020), 48–50 ; R. V. Levin, I. V. Fedorov, A. S. Vlasov, P. N. Brunkov, B. V. Pushnii, “Smoothing the surface of gallium antimonide”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1203–1205 |
| 3. |
Г. С. Гагис, В. И. Васильев, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Б. В. Пушный, В. И. Кучинский, Д. Ю. Казанцев, Б. Я. Бер, “Исследование влияния легирования на переходные слои анизотипных гетероструктур на основе GaInAsP и InP, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 46:19 (2020), 22–24 ; G. S. Gagis, V. I. Vasil'ev, R. V. Levin, A. E. Marichev, B. V. Pushnii, V. I. Kuchinskii, D. Yu. Kazantsev, B. Ya. Ber, “Investigation of the effect of doping on transition layers of anisotype GaInAsP and InP heterostructures obtained by the method of MOCVD”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 961–963 |
1
|
|
2019 |
| 4. |
Р. В. Левин, Б. В. Пушный, И. В. Федоров, А. А. Усикова, В. Н. Неведомский, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря, “Исследование возможностей метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений для изготовления тонких слоев InAs/GaSb”, ЖТФ, 89:10 (2019), 1592–1597 ; R. V. Levin, B. V. Pushnii, I. V. Fedorov, A. A. Usikova, V. N. Nevedomskiy, N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, N. V. Pavlov, G. G. Zegrya, “Examination of the capabilities of metalorganic vapor-phase epitaxy in fabrication of thin InAs/GaSb layers”, Tech. Phys., 64:10 (2019), 1509–1514 |
| 5. |
Р. В. Левин, А. С. Власов, А. Н. Смирнов, Б. В. Пушный, “Высокоомный антимонид галлия, полученный методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1599–1603 ; R. V. Levin, A. S. Vlasov, A. N. Smirnov, B. V. Pushnii, “High-resistivity gallium antimonide produced by metal–organic vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1563–1567 |
1
|
| 6. |
Г. С. Гагис, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Б. В. Пушный, М. П. Щеглов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, Ю. А. Кудрявцев, А. С. Власов, Т. Б. Попова, Д. В. Чистяков, В. И. Кучинский, В. И. Васильев, “Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1512–1518 ; G. S. Gagis, R. V. Levin, A. E. Marichev, B. V. Pushnii, M. P. Scheglov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, Yu. A. Kudriavtsev, A. S. Vlasov, T. B. Popova, D. V. Chistyakov, V. I. Kuchinskii, V. I. Vasil'ev, “Investigation of composition uniformity on thickness of GaInAsP layers grown on InP substrates by vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1472–1478 |
3
|
| 7. |
Р. В. Левин, В. Н. Неведомский, Н. Л. Баженов, Г. Г. Зегря, Б. В. Пушный, М. Н. Мизеров, “Исследование возможности изготовления напряженных сверхрешеток InAs/GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 273–276 ; R. V. Levin, V. N. Nevedomskiy, N. L. Bazhenov, G. G. Zegrya, B. V. Pushnii, M. N. Mizerov, “On the possibility of manufacturing strained InAs/GaSb superlattices by the mocvd method”, Semiconductors, 53:2 (2019), 260–263 |
1
|
| 8. |
М. П. Михайлова, Э. В. Иванов, Л. В. Данилов, Р. В. Левин, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, Ю. П. Яковлев, “Электролюминесценция в гетероструктурах $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой, выращенных методом МОГФЭ”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 50–54 ; M. P. Mikhailova, E. V. Ivanov, L. V. Danilov, R. V. Levin, I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, Yu. P. Yakovlev, “Electroluminescence in $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb heterostructures with a single quantum well grown by MOVPE”, Semiconductors, 53:1 (2019), 46–50 |
1
|
| 9. |
Г. С. Гагис, А. С. Власов, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, М. П. Щеглов, Т. Б. Попова, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, Д. В. Чистяков, В. И. Кучинский, В. И. Васильев, “Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине”, Письма в ЖТФ, 45:20 (2019), 22–25 ; G. S. Gagis, A. S. Vlasov, R. V. Levin, A. E. Marichev, M. P. Scheglov, T. B. Popova, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, D. V. Chistyakov, V. I. Kuchinskii, V. I. Vasil'ev, “Luminescence properties of GaInAsP layers with graded composition–depth profiles grown on InP substrates”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 1031–1034 |
1
|
|
2018 |
| 10. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Н. Х. Тимошина, Б. В. Пушный, “Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм) на основе GaInAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1641–1646 ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, R. V. Levin, A. E. Marichev, N. Kh. Timoshina, B. V. Pushnii, “GaInAsP/InP-based laser power converters ($\lambda$ = 1064 nm)”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1748–1753 |
10
|
| 11. |
М. П. Михайлова, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Л. В. Данилов, Э. В. Иванов, Е. В. Куницына, Н. Д. Ильинская, Р. В. Левин, Б. В. Пушный, Ю. П. Яковлев, “Эффект увеличения фотопроводимости в гетероструктуре II типа $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 906–911 ; M. P. Mikhailova, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, L. V. Danilov, E. V. Ivanov, E. V. Kunitsyna, N. D. Il'inskaya, R. V. Levin, B. V. Pushnii, Yu. P. Yakovlev, “Photoconductivity amplification in a type-II $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb heterostructure with a single QW”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1037–1042 |
1
|
| 12. |
Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Е. В. Контрош, Н. Д. Прасолов, В. С. Калиновский, Б. В. Пушный, “Изготовление и исследование коммутирующих $p$–$n$-переходов для каскадных фотопреобразователей”, Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 25–31 ; R. V. Levin, A. E. Marichev, E. V. Kontrosh, N. D. Prasolov, V. S. Kalinovskii, B. V. Pushnii, “Manufacture and study of switch $p$–$n$-junctions for cascade photovoltaic cells”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1130–1132 |
1
|
| 13. |
В. И. Васильев, Г. С. Гагис, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Б. В. Пушный, М. П. Щеглов, В. И. Кучинский, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Н. Горохов, Т. Б. Попова, “Исследование градиента состава слоев GaInAsP, полученных на InP методом газофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 17–24 ; V. I. Vasil'ev, G. S. Gagis, R. V. Levin, A. E. Marichev, B. V. Pushnii, M. P. Scheglov, V. I. Kuchinskii, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. N. Gorokhov, T. B. Popova, “A study of the composition gradient of GaInAsP layers formed on InP by vapor-phase epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1127–1129 |
3
|
|
2017 |
| 14. |
В. И. Васильев, Г. С. Гагис, Р. В. Левин, В. И. Кучинский, А. Г. Дерягин, Д. Ю. Казанцев, Б. Я. Бер, “Исследование переходных областей гетероструктур InAsPSb/InAs, полученных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений”, Письма в ЖТФ, 43:19 (2017), 78–86 ; V. I. Vasil'ev, G. S. Gagis, R. V. Levin, V. I. Kuchinskii, A. G. Deryagin, D. Yu. Kazantsev, B. Ya. Ber, “A study of transition regions in InAsPSb/InAs heterostructures grown by MOVPE”, Tech. Phys. Lett., 43:10 (2017), 905–908 |
3
|
| 15. |
А. Е. Маричев, Р. В. Левин, А. Б. Гордеева, Г. С. Гагис, В. И. Кучинский, Б. В. Пушный, Н. Д. Прасолов, Н. М. Шмидт, “Релаксация напряжений в InGaAsP/InP-гетероструктурах для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 nm”, Письма в ЖТФ, 43:2 (2017), 3–9 ; A. E. Marichev, R. V. Levin, A. B. Gordeeva, G. S. Gagis, V. I. Kuchinskii, B. V. Pushnii, N. D. Prasolov, N. M. Shmidt, “Stress relaxation in InGaAsP/InP heterostructures for 1064-nm laser radiation converters”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 88–91 |
|
2016 |
| 16. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, О. А. Хвостикова, Р. В. Левин, Б. В. Пушный, Н. Х. Тимошина, В. М. Андреев, “Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1550 нм) на основе GaSb: метод получения и характеристики”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1358–1362 ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, O. A. Khvostikova, R. V. Levin, B. V. Pushnii, N. Kh. Timoshina, V. M. Andreev, “GaSb laser-power ($\lambda$ = 1550 nm) converters: Fabrication method and characteristics”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1338–1343 |
9
|
| 17. |
Р. В. Левин, В. Н. Неведомский, Б. В. Пушный, Н. А. Берт, М. Н. Мизеров, “Сверхрешетки InAs/GaSb, изготовленные методом МОС-гидридной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 42:2 (2016), 79–84 ; R. V. Levin, V. N. Nevedomskiy, B. V. Pushnii, N. A. Bert, M. N. Mizerov, “InAs/GaSb superlattices fabricated by metalorganic chemical vapor deposition”, Tech. Phys. Lett., 42:1 (2016), 96–98 |
4
|
|
|
|
2018 |
| 18. |
L. V. Danilov, M. P. Mikhailova, R. V. Levin, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, I. A. Andreev, B. V. Pushnyi, G. G. Zegrya, “Enhancement of photoconductivity by carrier screening effect in $n$-GaSb/$n$-InAs/$p$-GaSb heterostructure with single deep quantum well”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 476 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 493–496 |
1
|
|
Обратная связь: