Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 2, страницы 273–276
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47112.8946 (Mi phts5600) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Исследование возможности изготовления напряженных сверхрешеток InAs/GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений

Р. В. Левинa, В. Н. Неведомскийa, Н. Л. Баженовa, Г. Г. Зегряa, Б. В. Пушныйa, М. Н. Мизеровb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (437 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47112.8946
Аннотация: Представлены первые результаты исследования возможности изготовления сверхрешеток на основе InAs/GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Экспериментально показана возможность изготовления гетероструктур с напряженной сверхрешеткой типа InAs/GaSb с толщиной слоев 2–4 нм. В спектрах электролюминесценции структур при 77 K наблюдается длинноволновый пик в районе 5 мкм (0.25 эВ), вероятно, связанный с напряженной сверхрешеткой, так как твердые растворы, которые могли бы образоваться на основе составных соединений, не обеспечивают полученную энергию рекомбинации носителей.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации RFMEFI62117X0018
Исследования методом просвечивающего электронного микроскопа выполнены с использованием оборудования федерального ЦКП “Материаловедение и диагностика в передовых технологиях”, поддержанного Министерством образования и науки России (идентификатор проекта RFMEFI62117X0018).
Поступила в редакцию: 03.07.2018
Исправленный вариант: 16.07.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 2, Pages 260–263
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619020155
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. В. Левин, В. Н. Неведомский, Н. Л. Баженов, Г. Г. Зегря, Б. В. Пушный, М. Н. Мизеров, “Исследование возможности изготовления напряженных сверхрешеток InAs/GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 273–276; Semiconductors, 53:2 (2019), 260–263
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LevNevBaz19}
\by Р.~В.~Левин, В.~Н.~Неведомский, Н.~Л.~Баженов, Г.~Г.~Зегря, Б.~В.~Пушный, М.~Н.~Мизеров
\paper Исследование возможности изготовления напряженных сверхрешеток InAs/GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 273--276
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5600}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47112.8946}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37476933}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 260--263
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619020155}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5600
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i2/p273
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024