|
Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 2, страницы 79–84
(Mi pjtf6537)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Сверхрешетки InAs/GaSb, изготовленные методом МОС-гидридной эпитаксии
Р. В. Левинab, В. Н. Неведомскийa, Б. В. Пушныйab, Н. А. Бертa, М. Н. Мизеровb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Экспериментально показана возможность изготовления сверхрешеток на основе InAs/GaSb с напряженными слоями методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Исследования изготовленной структуры методами просвечивающей микроскопии и фотолюминесценции показали, что получена сверхрешетка InAs–GaSb на подложке GaSb с толщинами слоев InAs 2 nm и GaSb 3.3 nm.
Поступила в редакцию: 14.08.2015
Образец цитирования:
Р. В. Левин, В. Н. Неведомский, Б. В. Пушный, Н. А. Берт, М. Н. Мизеров, “Сверхрешетки InAs/GaSb, изготовленные методом МОС-гидридной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 42:2 (2016), 79–84; Tech. Phys. Lett., 42:1 (2016), 96–98
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6537 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i2/p79
|
|