Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 13, страницы 1641–1646
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.13.46880.8926 (Mi phts5642) 		 
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм) на основе GaInAsP/InP

В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Н. Х. Тимошина, Б. В. Пушный

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (350 kB) Список цитирования (10)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.13.46880.8926
Аннотация: На основе решеточно-согласованных гетероструктур GaInAsP/InP, полученных газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений, разработаны фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения с засветкой со стороны подложки. Рассмотрены варианты просветляющих покрытий с минимумом отражения при длинe волны $\lambda$ = 1064 нм, а также особенности монтажа чипов с использованием паяльных паст с различающимися температурами плавления. В условиях равномерного облучения для мощности 1.2 Вт на фотопреобразователях площадью 3.5 $\times$ 3.5 мм$^{2}$ получен кпд 34.5% ($\lambda$ = 1064 нм).
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 17-79-30035
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда (проект № 17-79-30035).
Поступила в редакцию: 05.06.2018
Принята в печать: 13.06.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 13, Pages 1748–1753
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618130079
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Н. Х. Тимошина, Б. В. Пушный, “Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм) на основе GaInAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1641–1646; Semiconductors, 52:13 (2018), 1748–1753
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhvSorPot18}
\by В.~П.~Хвостиков, С.~В.~Сорокина, Н.~С.~Потапович, Р.~В.~Левин, А.~Е.~Маричев, Н.~Х.~Тимошина, Б.~В.~Пушный
\paper Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм) на основе GaInAsP/InP
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 13
\pages 1641--1646
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5642}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.13.46880.8926}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903667}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 13
\pages 1748--1753
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618130079}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5642
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i13/p1641
    • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:26
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024