Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 4, страница 476 (Mi phts5872)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXV International Symposium ''Nanostructures: Physics and Technology'', Saint Petersburg, June 26-30, 2017
Quantum wells, Quantum wires, Quantum dots, band structure

Enhancement of photoconductivity by carrier screening effect in $n$-GaSb/$n$-InAs/$p$-GaSb heterostructure with single deep quantum well

L. V. Danilov, M. P. Mikhailova, R. V. Levin, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, I. A. Andreev, B. V. Pushnyi, G. G. Zegrya

Ioffe Institute, 194021 St. Petersburg, Russia
PDF полного текста (24 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: $n$-GaSb/$n$-InAs/$p$-GaSb heterostructure with a single InAs QW was grown for the first time by MOVPE. Photocurrent spectra were obtained at reverse bias in the range from 0 to 0.8 V. It was shown that the photocurrent increases nonlinearly. The maximum of differential photoconductivity is archived at low applied voltage up to 0.2 V. This effect was explained by electrostatic screening of electrons localized in QW.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-08-01130
15-02-03151
This work was partially supported by grants RFBR № 16-08-01130 and 15-02-03151.
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 4, Pages 493–496
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618040115
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: L. V. Danilov, M. P. Mikhailova, R. V. Levin, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, I. A. Andreev, B. V. Pushnyi, G. G. Zegrya, “Enhancement of photoconductivity by carrier screening effect in $n$-GaSb/$n$-InAs/$p$-GaSb heterostructure with single deep quantum well”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 476; Semiconductors, 52:4 (2018), 493–496
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DanMikLev18}
\by L.~V.~Danilov, M.~P.~Mikhailova, R.~V.~Levin, G.~G.~Konovalov, E.~V.~Ivanov, I.~A.~Andreev, B.~V.~Pushnyi, G.~G.~Zegrya
\paper Enhancement of photoconductivity by carrier screening effect in $n$-GaSb/$n$-InAs/$p$-GaSb heterostructure with single deep quantum well
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 4
\pages 476
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5872}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740471}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 4
\pages 493--496
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618040115}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5872
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i4/p476
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024