|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Изготовление и исследование коммутирующих $p$–$n$-переходов для каскадных фотопреобразователей
Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Е. В. Контрош, Н. Д. Прасолов, В. С. Калиновский, Б. В. Пушный Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Представлены результаты исследований по созданию новых соединительных элементов для применения в монолитных многопереходных фотопреобразователях на основе InP. В качестве альтернативы туннельным переходам продемонстрирован новый тип соединительных элементов с удельным омическим сопротивлением менее 2 m$\Omega$ $\cdot$ cm$^{2}$ в диапазоне плотностей тока до 700 A/cm$^{2}$.
Поступила в редакцию: 11.07.2018
Образец цитирования:
Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Е. В. Контрош, Н. Д. Прасолов, В. С. Калиновский, Б. В. Пушный, “Изготовление и исследование коммутирующих $p$–$n$-переходов для каскадных фотопреобразователей”, Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 25–31; Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1130–1132
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5592 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i24/p25
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 46 | PDF полного текста: | 11 |
|