Высокоомный антимонид галлия, полученный методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений

Представлены результаты исследований преднамеренно не легированных эпитаксиальных слоев $p$-GaSb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений при соотношении TMSb/TEGa от 1 до 50. При соотношении TMSb/TEGa = 50 были изготовлены эпитаксиальные слои GaSb с удельным электрическим сопротивлением 400 Ом $\cdot$ см. Показано, что кристаллическое качество таких слоев, которое оценивалось несколькими методами, оставалось соизмеримым с качеством подложек ($n$-GaSb) используемых для роста преднамеренно не легированных слоев GaSb.