Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Юрасов Дмитрий Владимирович
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 22
Научных статей: 22

Статистика просмотров:
Эта страница:64
Страницы публикаций:1178
Полные тексты:489
кандидат физико-математических наук (2012)
Специальность ВАК: 05.27.01 (твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах)
Дата рождения: 22.07.1985
E-mail:
Сайт: http://www.ipmras.ru/institute/persons/staff/168-yurasov-dmitriy-vladimirovich/
Ключевые слова: Физика полупроводниковых наноструктур, оптоэлектроника, эпитаксия, SiGe гетероструктуры, квантовые точки, примеси, легирование.

Научная биография:

Юрасов, Дмитрий Владимирович. Особенности образования наноостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и метод селективного легирования $Si Ge$ структур сегрегирующими примесями : дис. ... канд. физ.-матем. наук : 05.27.01; [Место защиты: Ин-т физики микроструктур РАН]. - Нижний Новгород, 2012. - 153 с. : ил.

https://www.mathnet.ru/rus/person183111
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2021
1. А. А. Сушков, Д. А. Павлов, А. И. Андрианов, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Р. Н. Крюков, Н. В. Байдусь, Д. В. Юрасов, А. В. Рыков, “Сравнение гетероструктур А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$, выращенных на платформах Ge/Si, Ge/SOI и GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  978–988  mathnet  elib
2. А. А. Ежевский, Д. В. Гусейнов, А. В. Сухоруков, Е. А. Калинина, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Н. С. Гусев, “Генерация спиновых токов в $n$-Si, легированном фосфором, сурьмой и висмутом и влияние на них процессов рассеяния спинов с переворотом”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  654–658  mathnet  elib
3. Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, В. А. Вербус, Н. С. Гусев, Е. Е. Морозова, Д. В. Шенгуров, А. Н. Яблонский, А. В. Новиков, “Формирование и исследование оптических свойств локально растянутых Ge микроструктур, встроенных в резонаторы”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  420–426  mathnet  elib; D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, V. A. Verbus, N. S. Gusev, E. E. Morozova, D. V. Shengurov, A. N. Yablonskii, A. V. Novikov, “Formation and optical properties of locally strained Ge microstructures embedded into cavities”, Semiconductors, 55:6 (2021), 531–536
2020
4. Д. В. Юрасов, А. В. Новиков, С. А. Дьяков, М. В. Степихова, А. Н. Яблонский, С. М. Сергеев, Д. Е. Уткин, З. Ф. Красильник, “Рост интенсивности сигнала люминесценции самоформирующихся наноостровков Ge(Si) за счет взаимодействия их излучения с модами двумерных фотонных кристаллов”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  822–829  mathnet  elib; D. V. Yurasov, A. V. Novikov, S. A. Dyakov, M. V. Stepikhova, A. N. Yablonskii, S. M. Sergeev, D. E. Utkin, Z. F. Krasil'nik, “Enhancement of the luminescence signal from self-assembled Ge(Si) nanoislands due to interaction with the modes of two-dimensional photonic crystals”, Semiconductors, 54:8 (2020), 975–981 2
5. Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, А. Н. Яблонский, А. В. Новиков, “Влияние условий роста и уровня легирования на кинетику люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на кремнии”, Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020),  685–690  mathnet  elib; D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, A. N. Yablonskii, A. V. Novikov, “Influence of the growth conditions and doping level on the luminescence kinetics of Ge:Sb layers grown on silicon”, Semiconductors, 54:7 (2020), 811–816 1
2019
6. Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, В. А. Вербус, Н. С. Гусев, А. И. Машин, Е. Е. Морозова, А. В. Нежданов, А. В. Новиков, Е. В. Скороходов, Д. В. Шенгуров, А. Н. Яблонский, “Локально деформированные структуры Ge/SOI с улучшенным теплоотводом как активная среда для кремниевой оптоэлектроники”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1360–1365  mathnet  elib; D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, V. A. Verbus, N. S. Gusev, A. I. Mashin, E. E. Morozova, A. V. Nezhdanov, A. V. Novikov, E. V. Skorokhodov, D. V. Shengurov, A. N. Yablonskii, “Locally strained Ge/SOI structures with improved heat sink as an active media for silicon optoelectronics”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1324–1328 1
7. А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, П. А. Бушуйкин, Б. А. Андреев, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, А. Н. Яблонский, М. А. Калинников, З. Ф. Красильник, “Сравнительный анализ люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на подложках Ge(001) и Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1354–1359  mathnet  elib; A. V. Novikov, D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, P. A. Bushuikin, B. A. Andreev, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, A. N. Yablonskii, M. A. Kalinnikov, Z. F. Krasil'nik, “Comparative analysis of luminescence properties of Ge : Sb layers grown on Ge(001) and Si(001) substrates”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1318–1323 1
8. Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, М. Н. Дроздов, Е. Е. Морозова, М. А. Калинников, А. В. Новиков, “Влияние отжига на свойства слоев Ge : Sb/Si(001) с концентрацией сурьмы выше уровня ее равновесной растворимости в германии”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  897–902  mathnet  elib; D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, M. N. Drozdov, E. E. Morozova, M. A. Kalinnikov, A. V. Novikov, “Influence of annealing on the properties of Ge:Sb/Si(001) layers with an antimony concentration above its equilibrium solubility in germanium”, Semiconductors, 53:7 (2019), 882–886 3
2018
9. Н. В. Байдусь, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, Д. Г. Реунов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, “Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1443–1446  mathnet  elib; N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. G. Reunov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “On the application of strain-compensating GaAsP layers for the growth of InGaAs/GaAs quantum-well laser heterostructures emitting at wavelengths above 1100 nm on artificial Ge/Si substrates”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1547–1550 3
10. К. Е. Кудрявцев, А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, Д. В. Юрасов, П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, А. А. Мармалюк, А. В. Новиков, З. Ф. Красильник, “Стимулированное излучение в диапазоне 1.3–1.5 мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на кремниевых подложках”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1384–1389  mathnet  elib; K. E. Kudryavtsev, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, D. V. Yurasov, P. V. Gorlachuk, Yu. L. Ryaboshtan, A. A. Marmalyuk, A. V. Novikov, Z. F. Krasil'nik, “Stimulated emission in the 1.3–1.5 $\mu$m spectral range from AlGaInAs quantum wells in hybrid light-emitting III–V heterostructures on silicon substrates”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1495–1499
11. А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Е. Е. Морозова, Е. В. Скороходов, В. А. Вербус, А. Н. Яблонский, Н. А. Байдакова, Н. С. Гусев, К. Е. Кудрявцев, А. В. Нежданов, А. И. Машин, “Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1331–1336  mathnet  elib; A. V. Novikov, D. V. Yurasov, E. E. Morozova, E. V. Skorokhodov, V. A. Verbus, A. N. Yablonskii, N. A. Baidakova, N. S. Gusev, K. E. Kudryavtsev, A. V. Nezhdanov, A. I. Mashin, “Formation and properties of locally tensile strained Ge microstructures for silicon photonics”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1442–1447 3
12. В. Я. Алёшкин, Н. В. Байдусь, О. В. Вихрова, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, И. В. Самарцев, Д. В. Юрасов, “Стимулированное излучение на длине волны 1.3 $\mu$m в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001)”, Письма в ЖТФ, 44:16 (2018),  67–74  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, O. V. Vikhrova, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, I. V. Samartsev, D. V. Yurasov, “Stimulated emission at 1.3-$\mu$m wavelength in metamorphic InGaAs/InGaAsP structure with quantum wells grown on Ge/Si (001) substrate”, Tech. Phys. Lett., 44:8 (2018), 735–738
13. М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, А. В. Новиков, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, “Новое ограничение разрешения по глубине при послойном элементном анализе методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии: влияние зондирующего ионного пучка”, Письма в ЖТФ, 44:8 (2018),  11–19  mathnet  elib; M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, A. V. Novikov, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “A new limitation of the depth resolution in tof-sims elemental profiling: the influence of a probing ion beam”, Tech. Phys. Lett., 44:4 (2018), 320–323 1
2017
14. Д. В. Юрасов, М. Н. Дроздов, В. Б. Шмагин, А. В. Новиков, “Исследование сегрегации сурьмы при эпитаксиальном росте на подложках Si с различной кристаллографической ориентацией”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1611–1615  mathnet  elib; D. V. Yurasov, M. N. Drozdov, V. B. Shmagin, A. V. Novikov, “Antimony segregation in Si layers grown by molecular beam epitaxy on Si wafers with different crystallographic orientations”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1552–1556
15. Н. А. Байдакова, В. А. Вербус, Е. Е. Морозова, А. В. Новиков, Е. В. Скороходов, М. В. Шалеев, Д. В. Юрасов, A. Hombe, Y. Kurokawa, N. Usami, “Селективное травление Si, SiGe и Ge и использование его для повышения эффективности кремниевых солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1599–1604  mathnet  elib; N. A. Baidakova, V. A. Verbus, E. E. Morozova, A. V. Novikov, E. V. Skorokhodov, M. V. Shaleev, D. V. Yurasov, A. Hombe, Y. Kurokawa, N. Usami, “Selective etching of Si, SiGe, Ge and its usage for increasing the efficiency of silicon solar cells”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1542–1546 10
16. Н. В. Байдусь, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, А. В. Рыков, А. А. Сушков, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, А. Н. Яблонский, З. Ф. Красильник, “Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1579–1582  mathnet  elib; N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, D. A. Pavlov, A. V. Rykov, A. A. Sushkov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, Z. F. Krasil'nik, “Peculiarities of growing InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures by MOCVD on Ge/Si substrates”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1527–1530 5
17. В. Я. Алешкин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, И. В. Самарцев, А. Г. Фефелов, Д. В. Юрасов, З. Ф. Красильник, “Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1530–1533  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, I. V. Samartsev, A. G. Fefelov, D. V. Yurasov, Z. F. Krasil'nik, “Technology of the production of laser diodes based on GaAs/InGaAs/AlGaAs structures grown on a Ge/Si substrate”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1477–1480 4
18. В. Я. Алешкин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, Д. В. Юрасов, А. Н. Яблонский, “Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  695–698  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, “On the stimulated emission of InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures grown by MOCVD on exact and inclined Ge/Si(001) substrates”, Semiconductors, 51:5 (2017), 663–666 5
2016
19. Н. А. Байдакова, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Юрасов, Е. Е. Морозова, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник, “Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1685–1689  mathnet  elib; N. A. Baidakova, A. V. Novikov, M. V. Shaleev, D. V. Yurasov, E. E. Morozova, D. V. Shengurov, Z. F. Krasil'nik, “Electroluminescence of structures with self-assembled Ge(Si) nanoislands confined between strained Si layers”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1657–1661 1
20. А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Юрасов, П. А. Юнин, “Влияние шероховатости поверхности на смену режима роста с двумерного на трехмерный в напряженных SiGe-гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1657–1661  mathnet  elib; A. V. Novikov, M. V. Shaleev, D. V. Yurasov, P. A. Yunin, “Influence of surface roughness on a change in the growth mode from two-dimensional to three-dimensional for strained SiGe heterostructures”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1630–1634 1
21. А. Н. Яблонский, Р. Х. Жукавин, Н. А. Бекин, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, М. В. Шалеев, “Излучательная рекомбинация и туннелирование носителей заряда в гетероструктурах SiGe/Si с двойными квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1629–1633  mathnet  elib; A. N. Yablonskii, R. Kh. Zhukavin, N. A. Bekin, A. V. Novikov, D. V. Yurasov, M. V. Shaleev, “On the radiative recombination and tunneling of charge carriers in SiGe/Si heterostructures with double quantum wells”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1604–1608
22. М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, А. В. Новиков, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, “Нелинейные калибровочные зависимости в методе вторично-ионной масс-спектрометрии для количественного анализа гетероструктур GeSi с нанокластерами”, Письма в ЖТФ, 42:5 (2016),  40–48  mathnet  elib; M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, A. V. Novikov, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “Nonlinear calibration curves in secondary ion mass spectrometry for quantitative analysis of gesi heterostructures with nanoclusters”, Tech. Phys. Lett., 42:3 (2016), 243–247 2

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024