|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Н. Д. Прасолов, А. А. Гуткин, П. Н. Брунков, “Исследование с помощью молекулярной динамики образования димеров на поверхности (001) GaAs при низких температурах”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 134–137   ; N. D. Prasolov, A. A. Gutkin, P. N. Brunkov, “Molecular dynamics study of dimer formation on GaAs (001) surface at low temperatures”, Semiconductors, 55:2 (2021), 175–178 |
|
2020 |
| 2. |
А. А. Настулявичус, С. И. Кудряшов, Н. А. Смирнов, Р. А. Хмельницкий, А. А. Руденко, Н. Н. Мельник, Д. А. Кириленко, П. Н. Брунков, А. А. Ионин, “Лазерная генерация коллоидных кремниевых наночастиц, легированных серой и углеродом”, Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020), 897–901 ; A. A. Nastulyavichus, S. I. Kudryashov, N. A. Smirnov, R. A. Khmelnitskii, A. A. Rudenko, N. N. Mel'nik, D. A. Kirilenko, P. N. Brunkov, A. A. Ionin, “Laser formation of colloidal sulfur- and carbon-doped silicon nanoparticles”, Optics and Spectroscopy, 128:7 (2020), 885–896 |
| 3. |
А. В. Бабичев, С. А. Кадинская, К. Ю. Шубина, А. А. Васильев, А. А. Блохин, Э. И. Моисеев, С. А. Блохин, И. С. Мухин, И. А. Елисеев, В. Ю. Давыдов, П. Н. Брунков, Н. В. Крыжановская, А. Ю. Егоров, “Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 833–840 ; A. V. Babichev, S. A. Kadinskaya, K. Yu. Shubina, A. A. Vasil'ev, A. A. Blokhin, È. I. Moiseev, S. A. Blokhin, I. S. Mukhin, I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, P. N. Brunkov, N. V. Kryzhanovskaya, A. Yu. Egorov, “A study of the photoresponse in graphene produced by chemical vapor deposition”, Semiconductors, 54:9 (2020), 991–998 |
| 4. |
А. В. Сахаров, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, С. О. Усов, П. Н. Брунков, А. Ф. Цацульников, “Влияние давления при эпитаксии на свойства слоев GaN”, Письма в ЖТФ, 46:24 (2020), 3–6 ; A. V. Sakharov, V. V. Lundin, E. E. Zavarin, S. O. Usov, P. N. Brunkov, A. F. Tsatsul'nikov, “The influence of reactor pressure on the properties of GaN layers grown by MOVPE”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1211–1214 |
2
|
| 5. |
Р. В. Левин, И. В. Федоров, А. С. Власов, П. Н. Брунков, Б. В. Пушный, “Выглаживание поверхности антимонида галлия”, Письма в ЖТФ, 46:23 (2020), 48–50 ; R. V. Levin, I. V. Fedorov, A. S. Vlasov, P. N. Brunkov, B. V. Pushnii, “Smoothing the surface of gallium antimonide”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1203–1205 |
|
2019 |
| 6. |
V. Yu. Davydov, V. N. Jmerik, E. M. Roginskii, Yu. E. Kitaev, Y. M. Beltukov, M. B. Smirnov, D. V. Nechaev, A. N. Smirnov, I. A. Eliseyev, P. N. Brunkov, S. V. Ivanov, “Boson peak related to Ga-nanoclusters in AlGaN layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy at Ga-rich conditions”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1519 ; Semiconductors, 53:11 (2019), 1479–1488 |
1
|
| 7. |
Н. Д. Прасолов, А. А. Гуткин, П. Н. Брунков, “Моделирование с помощью молекулярной динамики низкотемпературной реконструкции поверхности (001) GaAs в процессе наноиндентирования”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1424–1426 ; N. D. Prasolov, A. A. Gutkin, P. N. Brunkov, “Molecular dynamic modelling of low temperature reconstruction of GaAs (001) surface during nanoindentation process”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1386–1388 |
3
|
| 8. |
N. D. Prasolov, A. A. Gutkin, P. N. Brunkov, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1164 |
| 9. |
В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, Д. А. Закгейм, Е. Ю. Лундина, П. Н. Брунков, А. Ф. Цацульников, “Изолирующие слои GaN, совместно легированные железом и углеродом”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019), 36–39 ; V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, D. A. Zakgeim, E. Yu. Lundina, P. N. Brunkov, A. F. Tsatsul'nikov, “Insulating GaN epilayers co-doped with iron and carbon”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 723–726 |
6
|
|
2018 |
| 10. |
А. Н. Семенов, Д. В. Нечаев, С. И. Трошков, А. В. Нащекин, П. Н. Брунков, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, “Особенности селективного роста наноколонн GaN на профилированных подложках $c$-сапфира различной геометрии”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1663–1667 ; A. N. Semenov, D. V. Nechaev, S. I. Troshkov, A. V. Nashchekin, P. N. Brunkov, V. N. Zhmerik, S. V. Ivanov, “Features of the selective growth of GaN nanorods on patterned $c$-sapphire substrates of various configurations”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1770–1774 |
3
|
| 11. |
E. A. Evropeytsev, A. N. Semenov, D. V. Nechaev, V. N. Zhmerik, V. Kh. Kaibyshev, S. I. Troshkov, P. N. Brunkov, A. A. Usikova, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Metal-semiconductor nanoheterostructures with an AlGaN quantum well and in-situ formed surface Al nanoislands”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 515 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 622–624 |
| 12. |
D. V. Lebedev, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, K. G. Belyaev, M. V. Rakhlin, A. A. Toropov, P. N. Brunkov, A. S. Vlasov, J. Merz, S. Rouvimov, S. Oktyabrsky, M. Yakimov, I. V. Mukhin, A. V. Shelaev, V. A. Bykov, A. Yu. Romanova, P. A. Buryak, A. M. Mintairov, “Density control of InP/GaInP quantum dots grown by metal-organic vapor-phase epitaxy”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 477 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 497–501 |
2
|
| 13. |
В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, А. А. Ситникова, П. Н. Брунков, Б. Я. Мельцер, С. В. Иванов, “Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя In$_{x}$Al$_{1-x}$As с корневым профилем изменения состава ($x$ = 0.05–0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 127–132 ; V. A. Solov'ev, M. Yu. Chernov, A. A. Sitnikova, P. N. Brunkov, B. Ya. Mel'tser, S. V. Ivanov, “Optimization of the structural properties and surface morphology of a convex-graded In$_{x}$Al$_{1-x}$As ($x$ = 0.05–0.83) metamorphic buffer layer grown via MBE on GaAs (001)”, Semiconductors, 52:1 (2018), 120–125 |
8
|
| 14. |
В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, Д. А. Закгейм, А. Е. Николаев, П. Н. Брунков, М. А. Яговкина, А. Ф. Цацульников, “Влияние метода формирования высокоомного буферного слоя GaN на свойства гетероструктур InAlN/GaN и AlGaN/GaN с двумерным электронным газом”, Письма в ЖТФ, 44:13 (2018), 51–58 ; V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, D. A. Zakgeim, A. E. Nikolaev, P. N. Brunkov, M. A. Yagovkina, A. F. Tsatsul'nikov, “The effect of the method by which a high-resistivity GaN buffer layer is formed on properties of InAlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructures with 2D electron gas”, Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 577–580 |
1
|
| 15. |
Е. В. Балашова, Б. Б. Кричевцов, С. Н. Попов, П. Н. Брунков, Г. А. Панкова, А. А. Золотарев, “Упругие и пьезоэлектрические параметры кристаллов гистидинфосфита $L$-Hist $\cdot$ H$_{3}$РО$_{3}$, полученные методом электромеханического резонанса”, Письма в ЖТФ, 44:3 (2018), 69–78 ; E. V. Balashova, B. B. Krichevtsov, S. N. Popov, P. N. Brunkov, G. A. Pankova, A. A. Zolotarev, “Elastic and piezoelectric parameters of the crystals of histidine phosphite $L$-Hist $\cdot$ H$_{3}$РО$_{3}$ measured by the method of electromechanical resonance”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 118–122 |
3
|
|
2017 |
| 16. |
Д. В. Нечаев, А. А. Ситникова, П. Н. Брунков, С. В. Иванов, В. Н. Жмерик, “Генерация и релаксация напряжений в гетероструктуре (Al, Ga)N/6$H$-SiC при росте методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 43:9 (2017), 67–74 ; D. V. Nechaev, A. A. Sitnikova, P. N. Brunkov, S. V. Ivanov, V. N. Zhmerik, “Stress generation and relaxation in (Al, Ga)N/6$H$-SiC heterostructure grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 43:5 (2017), 443–446 |
3
|
|
2016 |
| 17. |
А. В. Воронин, А. Е. Александров, Б. Я. Бер, П. Н. Брунков, А. А. Борматов, В. К. Гусев, Е. В. Демина, А. Н. Новохацкий, С. И. Павлов, М. Д. Прусакова, Г. Ю. Сотникова, М. А. Яговкина, “Экспериментальное изучение циклического воздействия плазмы на вольфрам”, ЖТФ, 86:3 (2016), 51–57 ; A. V. Voronin, A. E. Aleksandrov, B. Ya. Ber, P. N. Brunkov, A. A. Bormatov, V. K. Gusev, E. V. Demina, A. N. Novokhatskii, S. I. Pavlov, M. D. Prusakova, G. Yu. Sotnikova, M. A. Yagovkina, “Experimental study of cyclic action of plasma on tungsten”, Tech. Phys., 61:3 (2016), 370–376 |
6
|
| 18. |
В. И. Николаев, А. И. Печников, С. И. Степанов, Ш. Ш. Шарофидинов, А. А. Головатенко, И. П. Никитина, А. Н. Смирнов, В. Е. Бугров, А. Е. Романов, П. Н. Брунков, Д. А. Кириленко, “Хлоридная эпитаксия слоев $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках базисной ориентации”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 997–1000 ; V. I. Nikolaev, A. I. Pechnikov, S. I. Stepanov, Sh. Sh. Sharofidinov, A. A. Golovatenko, I. P. Nikitina, A. N. Smirnov, V. E. Bugrov, A. E. Romanov, P. N. Brunkov, D. A. Kirilenko, “Chloride epitaxy of $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ layers grown on $c$-sapphire substrates”, Semiconductors, 50:7 (2016), 980–983 |
5
|
| 19. |
С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, Ю. А. Гусева, М. М. Кулагина, И. О. Карповский, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, Н. Д. Прасолов, П. Н. Брунков, В. С. Левицкий, В. Лисак, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Исследования диэлектрических распределенных брэгговских отражателей для вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 57–65 ; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, Yu. A. Guseva, M. M. Kulagina, I. O. Karpovskii, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, N. D. Prasolov, P. N. Brunkov, V. S. Levitskii, V. Lisak, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “A study of distributed dielectric Bragg reflectors for vertically emitting lasers of the near-IR range”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1049–1053 |
5
|
| 20. |
В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, П. Н. Брунков, М. А. Яговкина, А. В. Сахаров, М. А. Синицын, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Ф. Цацульников, “Полуизолирующие эпитаксиальные слои GaN : С, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием пропана как источника углерода”, Письма в ЖТФ, 42:10 (2016), 85–91 ; V. V. Lundin, E. E. Zavarin, P. N. Brunkov, M. A. Yagovkina, A. V. Sakharov, M. A. Sinicin, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. F. Tsatsul'nikov, “Semi-insulating GaN:C epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy using propane as a carbon source”, Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 539–542 |
5
|
| 21. |
В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, П. Н. Брунков, М. А. Яговкина, С. И. Трошков, А. В. Сахаров, А. Е. Николаев, А. Ф. Цацульников, “Влияние условий выращивания на морфологию поверхности и развитие механических напряжений в слоях Al(Ga)N в процессе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений”, Письма в ЖТФ, 42:8 (2016), 86–93 ; V. V. Lundin, E. E. Zavarin, P. N. Brunkov, M. A. Yagovkina, S. I. Troshkov, A. V. Sakharov, A. E. Nikolaev, A. F. Tsatsul'nikov, “The influence of growth conditions on the surface morphology and development of mechanical stresses in Al(Ga)N layers during metalorganic vapor phase epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 42:4 (2016), 431–434 |
|
|
|
2021 |
| 22. |
А. М. Сергеев, Ю. Ю. Балега, И. А. Щербаков, Е. Б. Александров, В. М. Андреев, А. Л. Асеев, А. М. Быков, И. В. Грехов, В. В. Гусаров, А. В. Двуреченский, А. В. Иванчик, Е. Л. Ивченко, Н. Н. Казанский, А. А. Каплянский, В. В. Кведер, Н. Н. Колачевский, С. Г. Конников, П. С. Копьев, З. Ф. Красильник, А. Г. Литвак, С. В. Медведев, Ю. В. Наточин, В. Н. Пармон, Э. Е. Сон, Р. А. Сурис, В. Б. Тимофеев, В. В. Устинов, В. М. Устинов, С. В. Иванов, А. Н. Алешин, М. В. Архипов, П. Н. Брунков, А. И. Вейнгер, А. К. Вершовский, Е. А. Волкова, С. А. Гуревич, В. К. Гусев, В. А. Дергачев, А. Г. Дерягин, О. В. Дудник, В. В. Жданов, Н. Л. Истомина, А. М. Калашникова, Е. С. Корнилова, Е. В. Кустова, А.А. Лебедев, Е.В. Липатова, А. В. Нащекин, Р. В. Парфеньев, М. П. Петров, Г. В. Скорняков, Е. М. Смирнов, Г. С. Соколовский, А. В. Соломонов, М. Г. Сушкова, Е. И. Теруков, Е. А. Чабан, О. Л. Чагунава, А. П. Шергин, Е. В. Шестопалова, М. Л. Шматов, А. А. Шмидт, В. Л. Шубин, “Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения”, ЖТФ, 91:6 (2021), 893–894 |
|
Обратная связь: