Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 4, страница 477 (Mi phts5873)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXV International Symposium ''Nanostructures: Physics and Technology'', Saint Petersburg, June 26-30, 2017
Quantum wells, Quantum wires, Quantum dots, band structure

Density control of InP/GaInP quantum dots grown by metal-organic vapor-phase epitaxy

D. V. Lebedeva, N. A. Kalyuzhnyya, S. A. Mintairova, K. G. Belyaeva, M. V. Rakhlina, A. A. Toropova, P. N. Brunkovab, A. S. Vlasova, J. Merzc, S. Rouvimovc, S. Oktyabrskyd, M. Yakimovd, I. V. Mukhine, A. V. Shelaevf, V. A. Bykovf, A. Yu. Romanovab, P. A. Buryakb, A. M. Mintairovac

a Ioffe Institute, 194021 St. Petersburg, Russia
b St. Petersburg Polytechnical University, 195251 St. Petersburg, Russia
c University of Notre Dame, USA. IN 46556. Notre Dame
d Institute for Materials, State University of New York at Albany, USA. NY 12203. Albany.251 Fuller Rd.
e St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia
f NT-MDT Spectrum Instruments, 124460 St. Petersburg, Russia
PDF полного текста (32 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: We investigated structural and emission properties of self-organized InP/GaInP quantum dots (QD) grown by metal organic chemical vapor deposition using an amount of deposited In from 7 to 2 monolayers (ML). In the uncapped samples, using atomic force microscopy (AFM), we observed lateral sizes of 100–200 nm, together with a bimodal height distribution having maxima at $\sim$5 and $\sim$15 nm, which we denoted as QDs of type $A$ and $B$, respectively; and reduction of the density of the type-$B$ dots from 4.4 to 1.6 $\mu$m$^{-2}$. The reduction of the density of $B$-type dots were observed also using transmission electron microscopy of the capped samples. Using single dot low-temperature photoluminescence (PL) spectroscopy we demonstrated effects of Wigner localization for the electrons accumulated in these dots.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 14.Z50.31.0021
Российский научный фонд 14-22-00107
A.M.M. and D.V.L. acknowledges support of the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (contract 14.Z50.31.0021,7th April 2014) K.G.B., M.V.R. and A.A.T. gratefully acknowledge the financial support of the Russian Science Foundation (project 14-22-00107).
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 4, Pages 497–501
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618040206
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: D. V. Lebedev, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, K. G. Belyaev, M. V. Rakhlin, A. A. Toropov, P. N. Brunkov, A. S. Vlasov, J. Merz, S. Rouvimov, S. Oktyabrsky, M. Yakimov, I. V. Mukhin, A. V. Shelaev, V. A. Bykov, A. Yu. Romanova, P. A. Buryak, A. M. Mintairov, “Density control of InP/GaInP quantum dots grown by metal-organic vapor-phase epitaxy”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 477; Semiconductors, 52:4 (2018), 497–501
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LebKalMin18}
\by D.~V.~Lebedev, N.~A.~Kalyuzhnyy, S.~A.~Mintairov, K.~G.~Belyaev, M.~V.~Rakhlin, A.~A.~Toropov, P.~N.~Brunkov, A.~S.~Vlasov, J.~Merz, S.~Rouvimov, S.~Oktyabrsky, M.~Yakimov, I.~V.~Mukhin, A.~V.~Shelaev, V.~A.~Bykov, A.~Yu.~Romanova, P.~A.~Buryak, A.~M.~Mintairov
\paper Density control of InP/GaInP quantum dots grown by metal-organic vapor-phase epitaxy
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 4
\pages 477
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5873}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740472}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 4
\pages 497--501
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618040206}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5873
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i4/p477
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:6
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024