Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 10, страницы 1424–1426
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48301.9114 (Mi phts5390) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Моделирование с помощью молекулярной динамики низкотемпературной реконструкции поверхности (001) GaAs в процессе наноиндентирования

Н. Д. Прасоловa, А. А. Гуткинb, П. Н. Брунковab

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (622 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48301.9114
Аннотация: C использованием метода молекулярной динамики проведено моделирование в диапазоне температур от 1 до 15 K процесса наноиндентирования на глубину до 1 нм поверхностей (001) GaAs, терминированных As. Показано, что при этом происходит реконструкция поверхности с образованием устойчивых димеров As (1 $\times$ 2), которые не исчезают после отвода индентора от поверхности.
Ключевые слова: наноинденция, реконструкция поверхности, димеры атомов As, молекулярная динамика.
Поступила в редакцию: 25.03.2019
Исправленный вариант: 27.03.2019
Принята в печать: 18.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 10, Pages 1386–1388
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619100166
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Д. Прасолов, А. А. Гуткин, П. Н. Брунков, “Моделирование с помощью молекулярной динамики низкотемпературной реконструкции поверхности (001) GaAs в процессе наноиндентирования”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1424–1426; Semiconductors, 53:10 (2019), 1386–1388
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PraGutBru19}
\by Н.~Д.~Прасолов, А.~А.~Гуткин, П.~Н.~Брунков
\paper Моделирование с помощью молекулярной динамики низкотемпературной реконструкции поверхности (001) GaAs в процессе наноиндентирования
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 10
\pages 1424--1426
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5390}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48301.9114}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41174898}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 10
\pages 1386--1388
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619100166}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5390
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i10/p1424
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:42
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024