|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Г. С. Гребенюк, И. А. Елисеев, С. П. Лебедев, Е. Ю. Лобанова, Д. А. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, И. И. Пронин, “Формирование силицидов железа под графеном, выращенным на поверхности карбида кремния”, Физика твердого тела, 62:10 (2020), 1726–1730   ; G. S. Grebenyuk, I. A. Eliseyev, S. P. Lebedev, E. Yu. Lobanova, D. A. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, I. I. Pronin, “Formation of iron silicides under graphene grown on the silicon carbide surface”, Phys. Solid State, 62:10 (2020), 1944–1948 |
2
|
| 2. |
Г. С. Гребенюк, И. А. Елисеев, С. П. Лебедев, Е. Ю. Лобанова, Д. А. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, И. И. Пронин, “Интеркаляционный синтез силицидов кобальта под графеном, выращенным на карбиде кремния”, Физика твердого тела, 62:3 (2020), 462–471 ; G. S. Grebenyuk, I. A. Eliseyev, S. P. Lebedev, E. Yu. Lobanova, D. A. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, I. I. Pronin, “Intercalation synthesis of cobalt silicides under graphene grown on silicon carbide”, Phys. Solid State, 62:3 (2020), 519–528 |
5
|
| 3. |
I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, S. V. Belov, A. V. Zubov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, “Raman studies of graphene films grown on 4$H$-SiC subjected to deposition of Ni”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1388 ; Semiconductors, 54:12 (2020), 1674–1677 |
| 4. |
П. А. Алексеев, Б. Р. Бородин, И. А. Мустафин, А. В. Зубов, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, В. Н. Трухин, “Терагерцевый ближнепольный отклик в лентах графена”, Письма в ЖТФ, 46:15 (2020), 29–32 ; P. A. Alekseev, B. R. Borodin, I. A. Mustafin, A. V. Zubov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, V. N. Trukhin, “Terahertz near-field response in graphene ribbons”, Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 756–759 |
2
|
| 5. |
А. С. Усиков, С. П. Лебедев, А. Д. Роенков, И. С. Бараш, С. В. Новиков, М. В. Пузык, А. В. Зубов, Ю. Н. Макаров, А. А. Лебедев, “Исследование чувствительной способности графена для применений в качестве биосенсоров”, Письма в ЖТФ, 46:10 (2020), 3–6 ; A. S. Usikov, S. P. Lebedev, A. D. Roenkov, I. S. Barash, S. V. Novikov, M. V. Puzyk, A. V. Zubov, Yu. N. Makarov, A. A. Lebedev, “Studying the sensitivity of graphene for biosensor applications”, Tech. Phys. Lett., 46:5 (2020), 462–465 |
4
|
|
2019 |
| 6. |
И. С. Котоусова, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, П. В. Булат, “Электронографическое изучение структуры эпитаксиального графена, сформированного путем термического разложения SiC(0001) в атмосфере Ar и в высоком вакууме”, Физика твердого тела, 61:10 (2019), 1978–1984 ; I. S. Kotousova, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, P. V. Bulat, “Electron diffraction study of epitaxial graphene formed by thermal destruction of SiC(0001) in an Ar environment and in high vacuum”, Phys. Solid State, 61:10 (2019), 1940–1946 |
3
|
| 7. |
Г. С. Гребенюк, Е. Ю. Лобанова, Д. А. Смирнов, И. А. Елисеев, А. В. Зубов, А. Н. Смирнов, С. П. Лебедев, В. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, И. И. Пронин, “Интеркалирование графена на карбиде кремния кобальтом”, Физика твердого тела, 61:7 (2019), 1374–1384 ; G. S. Grebenyuk, E. Yu. Lobanova, D. A. Smirnov, I. A. Eliseyev, A. V. Zubov, A. N. Smirnov, S. P. Lebedev, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, I. I. Pronin, “Cobalt intercalation of graphene on silicon carbide”, Phys. Solid State, 61:7 (2019), 1316–1326 |
10
|
| 8. |
С. П. Лебедев, И. С. Бараш, И. А. Елисеев, П. А. Дементьев, А. А. Лебедев, П. В. Булат, “Исследование влияния водородного травления поверхности SiC на последующий процесс формирования пленок графена”, ЖТФ, 89:12 (2019), 1940–1946 ; S. P. Lebedev, I. S. Barash, I. A. Eliseyev, P. A. Dementev, A. A. Lebedev, P. V. Bulat, “Investigation of the hydrogen etching effect of the SiC surface on the formation of graphene films”, Tech. Phys., 64:12 (2019), 1843–1849 |
2
|
| 9. |
А. А. Лебедев, И. П. Никитина, Н. В. Середова, Н. К. Полетаев, С. П. Лебедев, В. В. Козловский, А. В. Зубов, “Исследование влияния структурных дефектов на спектры фотолюминесценции в $n$-3$C$-SiC”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 28–30 ; A. A. Lebedev, I. P. Nikitina, N. V. Seredova, N. K. Poletaev, S. P. Lebedev, V. V. Kozlovskii, A. V. Zubov, “A study of the influence exerted by structural defects on photoluminescence spectra in $n$-3$C$-SiC”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 557–559 |
3
|
|
2018 |
| 10. |
А. В. Бутко, В. Ю. Бутко, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, Ю. А. Кумзеров, “Полевой эффект при формировании интерфейса однослойного графена с водой”, Физика твердого тела, 60:12 (2018), 2474–2477 ; A. V. Butko, V. Yu. Butko, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, Yu. A. Kumzerov, “Field effect in monolayer graphene associated with the formation of graphene–water interface”, Phys. Solid State, 60:12 (2018), 2668–2671 |
1
|
| 11. |
М. В. Гомоюнова, Г. С. Гребенюк, В. Ю. Давыдов, И. А. Ермаков, И. А. Елисеев, А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, Е. Ю. Лобанова, А. Н. Смирнов, Д. А. Смирнов, И. И. Пронин, “Интеркалирование графена, сформированного на карбиде кремния, атомами железа”, Физика твердого тела, 60:7 (2018), 1423–1430 ; M. V. Gomoyunova, G. S. Grebenyuk, V. Yu. Davydov, I. A. Ermakov, I. A. Eliseyev, A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, E. Yu. Lobanova, A. N. Smirnov, D. A. Smirnov, I. I. Pronin, “Intercalation of iron atoms under graphene formed on silicon carbide”, Phys. Solid State, 60:7 (2018), 1439–1446 |
13
|
| 12. |
И. С. Котоусова, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, П. В. Булат, “Электронно-дифракционное изучение структуры эпитаксиального графена, выращенного методом термодеструкции 6$H$- и 4$H$-SiC (0001) в вакууме”, Физика твердого тела, 60:7 (2018), 1403–1408 ; I. S. Kotousova, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, P. V. Bulat, “Electron-diffraction study of the structure of epitaxial graphene grown by the method of thermal destruction of 6$H$- and 4$H$-SiC (0001) in vacuum”, Phys. Solid State, 60:7 (2018), 1419–1424 |
1
|
| 13. |
S. P. Lebedev, V. Yu. Davydov, D. Yu. Usachov, A. N. Smirnov, V. S. Levitskii, I. A. Eliseyev, E. V. Gushchina, M. S. Dunaevskii, O. Yu. Vilkov, A. G. Rybkin, A. A. Lebedev, S. N. Novikov, Yu. N. Makarov, “Graphene on silicon carbide as a basis for gas- and biosensor applications”, Наносистемы: физика, химия, математика, 9:1 (2018), 95–97  |
2
|
| 14. |
Н. В. Агринская, А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, М. А. Шахов, E. Lahderanta, “Переход между электронной локализацией и антилокализацией, а также проявление фазы Берри в графене на поверхности SiC”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1512–1517 ; N. V. Agrinskaya, A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, M. A. Shakhov, E. Lahderanta, “Transition between electron localization and antilocalization and manifestation of the Berry phase in graphene on a SiC surface”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1616–1620 |
| 15. |
П. А. Алексеев, М. С. Дунаевский, А. О. Михайлов, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, И. В. Илькив, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1507–1511 ; P. A. Alekseev, M. S. Dunaevskii, A. O. Mikhailov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, I. V. Ilkiv, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Electrical properties of GaAs nanowires grown on graphene/SiC hybrid substrates”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1611–1615 |
3
|
| 16. |
Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, Д. А. Кириленко, П. А. Алексеев, Г. Э. Цырлин, “Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1317–1320 ; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Soshnikov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, D. A. Kirilenko, P. A. Alekseev, G. E. Cirlin, “MBE growth and structural properties of GaP and InP nanowires on a SiC substrate with a graphene layer”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1428–1431 |
2
|
| 17. |
П. А. Алексеев, Б. Р. Бородин, М. С. Дунаевский, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, “Локальное анодное окисление слоев графена на SiC”, Письма в ЖТФ, 44:9 (2018), 34–40 ; P. A. Alekseev, B. R. Borodin, M. S. Dunaevskii, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, “Local anodic oxidation of graphene layers on SiC”, Tech. Phys. Lett., 44:5 (2018), 381–383 |
11
|
|
2017 |
| 18. |
А. В. Бутко, В. Ю. Бутко, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, Ю. А. Кумзеров, “Полевой эффект в графене при интерфейсном контакте с водными растворами уксусной кислоты и гидроксида калия”, Физика твердого тела, 59:10 (2017), 2063–2065 ; A. V. Butko, V. Yu. Butko, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, Yu. A. Kumzerov, “Field effects in graphene in an interface contact with aqueous solutions of acetic acid and potassium hydroxide”, Phys. Solid State, 59:10 (2017), 2089–2091 |
1
|
| 19. |
В. Ю. Давыдов, Д. Ю. Усачёв, С. П. Лебедев, А. Н. Смирнов, В. С. Левицкий, И. А. Елисеев, П. А. Алексеев, М. С. Дунаевский, О. Ю. Вилков, А. Г. Рыбкин, А. А. Лебедев, “Исследование кристаллической и электронной структуры графеновых пленок, выращенных на 6$H$-SiC (0001)”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1116–1124 ; V. Yu. Davydov, D. Yu. Usachov, S. P. Lebedev, A. N. Smirnov, V. S. Levitskii, I. A. Eliseyev, P. A. Alekseev, M. S. Dunaevskii, O. Yu. Vilkov, A. G. Rybkin, A. A. Lebedev, “Study of the crystal and electronic structure of graphene films grown on 6$H$-SiC (0001)”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1072–1080 |
49
|
| 20. |
А. А. Лебедев, Б. Я. Бер, Г. А. Оганесян, С. В. Белов, С. П. Лебедев, И. П. Никитина, Н. В. Середова, Л. В. Шахов, В. В. Козловский, “Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1088–1090 ; A. A. Lebedev, B. Ya. Ber, G. A. Oganesyan, S. V. Belov, S. P. Lebedev, I. P. Nikitina, N. V. Seredova, L. V. Shakhov, V. V. Kozlovsky, “Effects of irradiation with 8-MeV protons on $n$-3$C$-SiC heteroepitaxial layers”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1044–1046 |
| 21. |
С. П. Лебедев, И. А. Елисеев, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, В. С. Левицкий, М. Г. Мынбаева, М. М. Кулагина, B. Hähnlein, J. Pezoldt, А. А. Лебедев, “Транспортные свойства пленок графена, выращенных методом термодеструкции поверхности SiC (0001) в среде аргона”, Письма в ЖТФ, 43:18 (2017), 64–72 ; S. P. Lebedev, I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, V. S. Levitskii, M. G. Mynbaeva, M. M. Kulagina, B. Hähnlein, J. Pezoldt, A. A. Lebedev, “Transport properties of graphene films grown by thermodestruction of SiC (0001) surface in argon medium”, Tech. Phys. Lett., 43:9 (2017), 849–852 |
7
|
|
2016 |
| 22. |
А. В. Бутко, В. Ю. Бутко, С. П. Лебедев, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, Ю. А. Кумзеров, “Транспортные свойства графена в области его интерфейса с водной поверхностью”, Физика твердого тела, 58:7 (2016), 1432–1435 ; A. V. Butko, V. Yu. Butko, S. P. Lebedev, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, Yu. A. Kumzerov, “Transport properties of graphene in the region of its interface with water surface”, Phys. Solid State, 58:7 (2016), 1483–1486 |
2
|
| 23. |
А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, С. Н. Новиков, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, Д. П. Литвин, Ю. Н. Макаров, В. С. Левицкий, “Сверхчувствительный газовый сенсор на основе графена”, ЖТФ, 86:3 (2016), 135–139 ; A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, S. N. Novikov, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, D. P. Litvin, Yu. N. Makarov, V. S. Levitskii, “Supersensitive graphene-based gas sensor”, Tech. Phys., 61:3 (2016), 453–457 |
16
|
| 24. |
И. С. Котоусова, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, “Электронографическое исследование стадий формирования графеновой пленки при термодеструкции 6$H$-SiC (000$\bar1$) в вакууме”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 967–972 ; I. S. Kotousova, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, “Electron-diffraction study of graphene-film growth stages during the thermal destruction of 6$H$-SiC (000$\bar1$) in vacuum”, Semiconductors, 50:7 (2016), 951–956 |
| 25. |
С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, А. А. Ситникова, Л. М. Сорокин, “Развитие модели спинодального распада на примере гетероструктуры на основе политипов карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 42:23 (2016), 66–71 ; S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, A. A. Sitnikova, L. M. Sorokin, “Development of a spinodal decomposition model for the example of a heterostructure based on silicon carbide polytypes”, Tech. Phys. Lett., 42:12 (2016), 1153–1155 |
1
|
|
|
|
2020 |
| 26. |
S. P. Lebedev, I. A. Eliseyev, V. N. Panteleev, P. A. Dementev, V. V. Shnitov, M. K. Rabchinskii, D. A. Smirnov, A. V. Zubov, A. A. Lebedev, “Comparative study of conventional and quasi-freestanding epitaxial graphenes grown on 4$H$-SiC substrate”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1383 ; Semiconductors, 54:12 (2020), 1657–1660 |
|
Обратная связь: