|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
В. Н. Бессолов, Н. Д. Грузинов, М. Е. Компан, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев, С. Н. Родин, М. П. Щеглов, “Газофазная эпитаксия слоев AlN на темплейте AlN/Si(111), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления”, Письма в ЖТФ, 46:8 (2020), 29–31   ; V. N. Bessolov, N. D. Gruzinov, M. E. Kompan, E. V. Konenkova, V. N. Panteleev, S. N. Rodin, M. P. Scheglov, “Vapor-phase epitaxy of AlN layers on AlN/Si(111) templates synthesized by reactive magnetron sputtering”, Tech. Phys. Lett., 46:4 (2020), 382–384 |
| 2. |
В. И. Николаев, А. И. Печников, Л. И. Гузилова, А. В. Чикиряка, М. П. Щеглов, В. В. Николаев, С. И. Степанов, А. А. Васильев, И. В. Щемеров, А. Я. Поляков, “Толстые эпитаксиальные слои $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ : Sn на профилированной сапфировой подложке”, Письма в ЖТФ, 46:5 (2020), 27–29 ; V. I. Nikolaev, A. I. Pechnikov, L. I. Guzilova, A. V. Chikiryaka, M. P. Scheglov, V. V. Nikolaev, S. I. Stepanov, A. A. Vasil'ev, I. V. Shchemerov, A. Ya. Polyakov, “Thick epitaxial $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ : Sn layers on a patterned sapphire substrate”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 228–230 |
6
|
|
2019 |
| 3. |
В. А. Санина, Б. Х. Ханнанов, Е. И. Головенчиц, М. П. Щеглов, “Электрическая поляризация в ErCrO$_{3}$, индуцированная локальными полярными областями”, Физика твердого тела, 61:3 (2019), 501–509 ; V. A. Sanina, B. Kh. Khannanov, E. I. Golovenchits, M. P. Scheglov, “Electric polarization in ErCrO$_{3}$ induced by restricted polar domains”, Phys. Solid State, 61:3 (2019), 370–378 |
8
|
| 4. |
В. А. Санина, Б. Х. Ханнанов, Е. И. Головенчиц, М. П. Щеглов, “Электрическая поляризация в YCrO$_{3}$, индуцированная локальными полярными областями магнитной и структурной природы”, Физика твердого тела, 61:1 (2019), 95–103 ; V. A. Sanina, B. Kh. Khannanov, E. I. Golovenchits, M. P. Scheglov, “Electric polarization in YCrO$_{3}$ induced by restricted polar domains of magnetic and structural natures”, Phys. Solid State, 60:12 (2018), 2532–2540 |
11
|
| 5. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Гущина, Е. В. Коненкова, С. Д. Коненков, Т. В. Львова, В. Н. Пантелеев, М. П. Щеглов, “Синтез гексагональных слоев AlN и GaN на Si(100)-подложке методом хлоридной газофазной эпитаксии”, ЖТФ, 89:4 (2019), 574–577 ; V. N. Bessolov, E. V. Gushchina, E. V. Konenkova, S. D. Konenkov, T. V. L'vova, V. N. Panteleev, M. P. Scheglov, “Synthesis of hexagonal AlN и GaN layers on a Si(100) substrate by chloride vapor-phase epitaxy”, Tech. Phys., 64:4 (2019), 531–534 |
3
|
| 6. |
Г. С. Гагис, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Б. В. Пушный, М. П. Щеглов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, Ю. А. Кудрявцев, А. С. Власов, Т. Б. Попова, Д. В. Чистяков, В. И. Кучинский, В. И. Васильев, “Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1512–1518 ; G. S. Gagis, R. V. Levin, A. E. Marichev, B. V. Pushnii, M. P. Scheglov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, Yu. A. Kudriavtsev, A. S. Vlasov, T. B. Popova, D. V. Chistyakov, V. I. Kuchinskii, V. I. Vasil'ev, “Investigation of composition uniformity on thickness of GaInAsP layers grown on InP substrates by vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1472–1478 |
3
|
| 7. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин, Н. В. Середова, А. В. Соломникова, М. П. Щеглов, Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов, “Cвойства полуполярного GaN, выращенного на подложке Si(100)”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 1006–1009 ; V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, T. A. Orlova, S. N. Rodin, N. V. Seredova, A. V. Solomnikova, M. P. Scheglov, D. S. Kibalov, V. K. Smirnov, “Properties of semipolar GaN grown on a Si(100) substrate”, Semiconductors, 53:7 (2019), 989–992 |
7
|
| 8. |
А. И. Печников, С. И. Степанов, А. В. Чикиряка, М. П. Щеглов, М. А. Одноблюдов, В. И. Николаев, “Толстые слои $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках, полученные методом хлоридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 789–792 ; A. I. Pechnikov, S. I. Stepanov, A. V. Chikiryaka, M. P. Scheglov, M. A. Odnoblyudov, V. I. Nikolaev, “Thick $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ layers on sapphire substrates grown by halide epitaxy”, Semiconductors, 53:6 (2019), 780–783 |
23
|
| 9. |
Г. С. Гагис, А. С. Власов, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, М. П. Щеглов, Т. Б. Попова, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, Д. В. Чистяков, В. И. Кучинский, В. И. Васильев, “Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине”, Письма в ЖТФ, 45:20 (2019), 22–25 ; G. S. Gagis, A. S. Vlasov, R. V. Levin, A. E. Marichev, M. P. Scheglov, T. B. Popova, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, D. V. Chistyakov, V. I. Kuchinskii, V. I. Vasil'ev, “Luminescence properties of GaInAsP layers with graded composition–depth profiles grown on InP substrates”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 1031–1034 |
1
|
| 10. |
В. Н. Бессолов, М. Е. Компан, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев, С. Н. Родин, М. П. Щеглов, “Эпитаксия слоев GaN(0001) или GaN(10$\bar1$1) на подложке Si(100)”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 3–5 |
7
|
|
2018 |
| 11. |
В. А. Санина, Б. Х. Ханнанов, Е. И. Головенчиц, М. П. Щеглов, “Замороженное суперпараэлектрическое состояние локальных полярных областей в GdMn$_{2}$O$_{5}$ и Gd$_{0.8}$Ce$_{0.2}$Mn$_{2}$O$_{5}$”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 531–542 ; V. A. Sanina, B. Kh. Khannanov, E. I. Golovenchits, M. P. Scheglov, “Frozen superparaelectric state of local polar regions in GdMn$_{2}$O$_{5}$ and Gd$_{0.8}$Ce$_{0.2}$Mn$_{2}$O$_{5}$”, Phys. Solid State, 60:3 (2018), 537–548 |
11
|
| 12. |
В. В. Ратников, М. П. Щеглов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, И. В. Осинных, Т. В. Малин, К. С. Журавлев, “Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании $x$ от 0 до 0.7 в слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 233–237 ; V. V. Ratnikov, M. P. Scheglov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, I. V. Osinnykh, T. V. Malin, K. S. Zhuravlev, “Change in the character of biaxial stresses with an increase in $x$ from 0 to 0.7 in Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si layers obtained by ammonia molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 52:2 (2018), 221–225 |
1
|
| 13. |
В. И. Васильев, Г. С. Гагис, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Б. В. Пушный, М. П. Щеглов, В. И. Кучинский, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Н. Горохов, Т. Б. Попова, “Исследование градиента состава слоев GaInAsP, полученных на InP методом газофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 17–24 ; V. I. Vasil'ev, G. S. Gagis, R. V. Levin, A. E. Marichev, B. V. Pushnii, M. P. Scheglov, V. I. Kuchinskii, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. N. Gorokhov, T. B. Popova, “A study of the composition gradient of GaInAsP layers formed on InP by vapor-phase epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1127–1129 |
3
|
| 14. |
Р. Н. Кютт, М. П. Щеглов, “Форма распределения интенсивности рентгеновской дифракции в обратном пространстве и ее связь с дислокационной структурой эпитаксиальных слоев”, Письма в ЖТФ, 44:12 (2018), 96–102 ; R. N. Kyutt, M. P. Scheglov, “Reciprocal-space maps of X-ray diffraction intensity distribution and their relation to the dislocation structure of epitaxial layers”, Tech. Phys. Lett., 44:6 (2018), 548–550 |
| 15. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин, М. П. Щеглов, Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов, “Полуполярные GaN-слои на наноструктурированной Si(100)-подложке”, Письма в ЖТФ, 44:12 (2018), 45–51 ; V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, T. A. Orlova, S. N. Rodin, M. P. Scheglov, D. S. Kibalov, V. K. Smirnov, “Semipolar gan layers grown on nanostructured Si(100) substrate”, Tech. Phys. Lett., 44:6 (2018), 525–527 |
8
|
| 16. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Гущина, Е. В. Коненкова, Т. В. Львова, В. Н. Пантелеев, М. П. Щеглов, “Гексагональные слои AlN, выращенные на сульфидированной Si(100)-подложке”, Письма в ЖТФ, 44:2 (2018), 96–103 ; V. N. Bessolov, E. V. Gushchina, E. V. Konenkova, T. V. L'vova, V. N. Panteleev, M. P. Scheglov, “Hexagonal AlN layers grown on sulfided Si(100) substrate”, Tech. Phys. Lett., 44:1 (2018), 81–83 |
6
|
|
2016 |
| 17. |
B. Kh. Khannanov, V. A. Sanina, E. I. Golovenchits, M. P. Scheglov, “Room-temperature electric polarization induced by phase separation in multiferroic GdMn$_2$O$_5$”, Письма в ЖЭТФ, 103:4 (2016), 274–279   ; JETP Letters, 103:4 (2016), 248–253 |
24
|
|
1987 |
| 18. |
М. П. Щеглов, Р. Н. Кютт, Л. М. Сорокин, “Измерение рассеяния рентгеновских лучей в условиях зеркального
отражения в дифференциальном режиме”, ЖТФ, 57:7 (1987), 1436–1438 |
|
Обратная связь: