Толстые слои $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках, полученные методом хлоридной эпитаксии

В статье сообщается об эпитаксиальном росте и исследовании слоев нового широкозонного полупроводника $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$. Слои были выращены хлоридной эпитаксией на сапфировых подложках базисной ориентации. Толщины слоев исследованных образцов составляли от 0.5 мкм до рекордных на сегодня более 10 мкм. Изучены структурные и оптические свойства полученных образцов. Показано, что все образцы в структурном отношении однородны, однофазны и имеют структуру корунда $R\bar3c$, как и у сапфира, используемого в качестве подложки. Было показано, что полуширина кривых качания для рефлекса (0006) $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ изменяется с ростом толщины слоя и для наиболее толстых слоев составила 240 угл. сек. Как тонкие, так и толстые слои были прозрачны как в видимом, так и УФ-диапазоне, вплоть до края зоны оптического поглощения при 5.2 эВ.