|
Эта публикация цитируется в 22 научных статьях (всего в 22 статьях)
Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)
Толстые слои $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках, полученные методом хлоридной эпитаксии
А. И. Печниковa, С. И. Степановb, А. В. Чикирякаa, М. П. Щегловa, М. А. Одноблюдовc, В. И. Николаевab a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Аннотация:
В статье сообщается об эпитаксиальном росте и исследовании слоев нового широкозонного полупроводника $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$. Слои были выращены хлоридной эпитаксией на сапфировых подложках базисной ориентации. Толщины слоев исследованных образцов составляли от 0.5 мкм до рекордных на сегодня более 10 мкм. Изучены структурные и оптические свойства полученных образцов. Показано, что все образцы в структурном отношении однородны, однофазны и имеют структуру корунда $R\bar3c$, как и у сапфира, используемого в качестве подложки. Было показано, что полуширина кривых качания для рефлекса (0006) $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ изменяется с ростом толщины слоя и для наиболее толстых слоев составила 240 угл. сек. Как тонкие, так и толстые слои были прозрачны как в видимом, так и УФ-диапазоне, вплоть до края зоны оптического поглощения при 5.2 эВ.
Поступила в редакцию: 27.11.2018 Исправленный вариант: 25.01.2019 Принята в печать: 30.01.2019
Образец цитирования:
А. И. Печников, С. И. Степанов, А. В. Чикиряка, М. П. Щеглов, М. А. Одноблюдов, В. И. Николаев, “Толстые слои $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках, полученные методом хлоридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 789–792; Semiconductors, 53:6 (2019), 780–783
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5484 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i6/p789
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 49 | PDF полного текста: | 20 |
|