|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Cвойства полуполярного GaN, выращенного на подложке Si(100)
В. Н. Бессоловa, Е. В. Коненковаa, Т. А. Орловаa, С. Н. Родинa, Н. В. Середоваa, А. В. Соломниковаb, М. П. Щегловa, Д. С. Кибаловc, В. К. Смирновc a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c ООО "Квантовый кремний", Москва, Россия
Аннотация:
Представлены результаты исследований полуполярных слоев GaN, синтезированных на наноструктурированной подложке Si(100). Показано, что применение нанорельефа Si(100) в сочетании с нанополосками Si$_{x}$N$_{y}$ на вершинах наноструктур при газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений может приводить к формированию слоев GaN(10$\bar1$2), а дополнительное использование буферного слоя SiC позволяет получить слои GaN(10$\bar1$1) c полушириной кривой дифракции $\omega_\theta\approx$ 35'. Обнаружено, что люминесцентные свойства полуполярных слоев обусловлены преимущественно дефектами упаковки BSF$_{S}$-I$_{1}$ (basal plane stacking faults), в отличие полярных слоев, где в основном они обусловлены рекомбинацией экситонов.
Ключевые слова:
полуполярный нитрид галлия, фотолюминесценция, газофазная эпитаксия.
Поступила в редакцию: 17.12.2018 Исправленный вариант: 22.12.2018 Принята в печать: 25.12.2018
Образец цитирования:
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин, Н. В. Середова, А. В. Соломникова, М. П. Щеглов, Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов, “Cвойства полуполярного GaN, выращенного на подложке Si(100)”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 1006–1009; Semiconductors, 53:7 (2019), 989–992
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5469 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i7/p1006
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 44 | PDF полного текста: | 16 |
|