Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 7, страницы 1006–1009
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47881.9049
(Mi phts5469)
 

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Cвойства полуполярного GaN, выращенного на подложке Si(100)

В. Н. Бессоловa, Е. В. Коненковаa, Т. А. Орловаa, С. Н. Родинa, Н. В. Середоваa, А. В. Соломниковаb, М. П. Щегловa, Д. С. Кибаловc, В. К. Смирновc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c ООО "Квантовый кремний", Москва, Россия
Аннотация: Представлены результаты исследований полуполярных слоев GaN, синтезированных на наноструктурированной подложке Si(100). Показано, что применение нанорельефа Si(100) в сочетании с нанополосками Si$_{x}$N$_{y}$ на вершинах наноструктур при газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений может приводить к формированию слоев GaN(10$\bar1$2), а дополнительное использование буферного слоя SiC позволяет получить слои GaN(10$\bar1$1) c полушириной кривой дифракции $\omega_\theta\approx$ 35'. Обнаружено, что люминесцентные свойства полуполярных слоев обусловлены преимущественно дефектами упаковки BSF$_{S}$-I$_{1}$ (basal plane stacking faults), в отличие полярных слоев, где в основном они обусловлены рекомбинацией экситонов.
Ключевые слова: полуполярный нитрид галлия, фотолюминесценция, газофазная эпитаксия.
Поступила в редакцию: 17.12.2018
Исправленный вариант: 22.12.2018
Принята в печать: 25.12.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 7, Pages 989–992
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619070054
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин, Н. В. Середова, А. В. Соломникова, М. П. Щеглов, Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов, “Cвойства полуполярного GaN, выращенного на подложке Si(100)”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 1006–1009; Semiconductors, 53:7 (2019), 989–992
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BesKonOrl19}
\by В.~Н.~Бессолов, Е.~В.~Коненкова, Т.~А.~Орлова, С.~Н.~Родин, Н.~В.~Середова, А.~В.~Соломникова, М.~П.~Щеглов, Д.~С.~Кибалов, В.~К.~Смирнов
\paper Cвойства полуполярного GaN, выращенного на подложке Si(100)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 1006--1009
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5469}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47881.9049}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133330}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 989--992
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619070054}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5469
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i7/p1006
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:44
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024